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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2004-0115138 (2004-12-29) |
공개번호 | 10-2006-0076653 (2006-07-04) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040115138 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2004-12-29) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
반도체 스위치 스택을 이용한 플라즈마 소스 이온 주입(PLASMA SOURCE ION IMPLANTATION, 이하 PSII)용 고압펄스 발생장치가 개시된다. 이를 위하여, 상용전압으로부터 가변 AC전압을 만들어 고압으로 승압하고, 상기 승압된 AC전압을 DC전압으로 정류시킨 후, 상기 정류된 고압 DC전압을 통해 충전되는 커패시터 충전부; 및 IGBT 기반으로 한 스위치 스택(이하, IGBT 스택)을 이용하여 상기 고압충전부를 통해 고압 펄스전압을 발생시키는 펄스발생부를 포함함으로써, 펄스 반복률, 폭과 크기 등에서 높은 유연성을
상용전압으로부터 가변 AC전압을 만들어 고압으로 승압하고, 상기 승압된 AC전압을 DC전압으로 정류시킨 후, 상기 정류된 고압 DC전압을 통해 충전되는 커패시터 충전부| 및IGBT 기반으로 한 스위치 스택(이하, IGBT 스택)을 이용하여 상기 고압충전부를 통해 고압 펄스전압을 발생시키는 펄스발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고압펄스 발생장치.청구항 1에 있어서, 상기 커패시터 충전부는,적어도 하나 이상의 사이리스터(SCR)를 포함하여, 상기 상용전압으로부터 가변 AC전압으로 변환하는 위상제어기|상기 가변 AC전압을 고압으로 승
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