초록

정전 용량의 변화에 기초해서 역학량을 측정하기 위한 용량형 센서로서, 빔(4)에 의해 지지되고 역학량에 따라서 이동하는 추(5)를 가지는 반도체 기판(2); 및 추(5)로부터 미소 간극을 두고 추를 면하는 위치에 고정 전극이 배치되고, 반도체 기판의 일부분과 접촉하는 기판 전극(12)이 적층되는 유리 기판(1, 3)을 구비하며 접촉영역 이상의 크기를 가지는 리세스가 반도체 기판(2)이 기판 전극(12)과 접촉하는 반도체 기판(2) 내부 영역에 형성된다.

대표청구항

추의 이동에 따라 추와 고정 전극 사이에 형성되는 용량의 변화에 기초하여 역학량을 측정하는 용량형 역학량 센서로서,빔에 의해 지지되며 역학량에 따라 이동하는 추를 가지는 반도체 기판; 및상기 추로부터 미소 간극을 두고 상기 추를 면하는 위치에 고정 전극이 배치되고, 그리고 상기 반도체 기판의 일부분과 접촉하는 기판 전극이 적층되는 유리 기판을 구비하며,상기 반도체 기판이 상기 기판 전극과 접촉하는 접촉 영역 이상의 크기를 가지는 리세스가 상기 반도체 기판에 형성되는 용량형 역학량 센서.

추의 이동에 따라 추와 고정 전극 사이에 형성되는 용량의 변화에 기초하여 역학량을 측정하는 용량형 역학량 센서로서,빔에 의해 지지되며 역학량에 따라 이동하는 추를 가지는 반도체 기판; 및상기 추로부터 미소 간극을 두고 상기 추를 면하는 위치에 고정 전극이 배치되고, 그리고 상기 반도체 기판의 일부분과 접촉하는 기판 전극이 적층되는 유리 기판을 구비하며,상기 반도체 기판이 상기 기판 전극과 접촉하는 접촉 영역 이상의 크기를 가지는 리세스가 상기 반도체 기판에 형성되는 용량형 역학량 센서.