초록 ▼

본 발명은 드레인 전극을 반사물질로 형성하여 유기전계 발광소자의 반사막으로 사용하므로써 광효율을 향상시키고 소오스전극을 높은 일함수를 갖는 물질로 형성하여 유기반도체층과의 낮은 콘택저항을 확보할 수 있는 유기박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광표시장치를 개시한다. 본 발명의 유기전계 발광표시장치는 발광영역 및 비발광영역을 구비한 기판과; 상기 기판의 비발광영역에 배열되고, 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양측과 각각 오버랩되는 소오스/드레인 전극 및 반도체층을 구비하는 유기 박막 트랜지스터와;

본 발명은 드레인 전극을 반사물질로 형성하여 유기전계 발광소자의 반사막으로 사용하므로써 광효율을 향상시키고 소오스전극을 높은 일함수를 갖는 물질로 형성하여 유기반도체층과의 낮은 콘택저항을 확보할 수 있는 유기박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광표시장치를 개시한다. 본 발명의 유기전계 발광표시장치는 발광영역 및 비발광영역을 구비한 기판과; 상기 기판의 비발광영역에 배열되고, 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양측과 각각 오버랩되는 소오스/드레인 전극 및 반도체층을 구비하는 유기 박막 트랜지스터와; 기판상에 형성되어 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극을 노출시키는 비어홀을 구비한 절연막과; 상기 절연막의 발광영역상에 형성되어 상기 비어홀을 통해 상기 하나의 전극에 연결되고, 하부전극, 유기막층 및 상부전극을 구비하는 유기발광소자를 구비하며, 상기 유기 박막 트랜지스터의 하나의 전극은 상기 발광영역까지 연장형성되어 유기전계 발광소자의 하부전극과 오버랩되고, 상기 하나의 전극중 상기 하부전극과 오버랩된 부분은 상기 유기막층으로부터 발광되는 광을 반사시켜 주기 위한 반사막의 역할을 한다.

대표청구항 ▼

기판과|상기 기판상에 형성된 게이트 전극과|상기 게이트 전극의 일측과 오버랩되는 소오스 전극과|상기 게이트 전극의 타측과 오버랩되는 드레인 전극과|상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 게이트 전극사이에 개재된 게이트 절연막과|기판상에 형성되어 상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 접촉되는 반도체층을 포함하며, 상기 소오스 전극은 상기 반도체층보다 일함수가 큰 물질을 포함하고, 상기 드레인 전극은 반사 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 유기 절연물질을 포함하고,상기 반도체층은 유기

기판과|상기 기판상에 형성된 게이트 전극과|상기 게이트 전극의 일측과 오버랩되는 소오스 전극과|상기 게이트 전극의 타측과 오버랩되는 드레인 전극과|상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 게이트 전극사이에 개재된 게이트 절연막과|기판상에 형성되어 상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 접촉되는 반도체층을 포함하며, 상기 소오스 전극은 상기 반도체층보다 일함수가 큰 물질을 포함하고, 상기 드레인 전극은 반사 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 유기 절연물질을 포함하고,상기 반도체층은 유기 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.제1항에 있어서, 상기 소오스 전극은 Au, Pt, 및 Pd 로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.제1항에 있어서, 상기 드레인 전극은 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막 및 Ti로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.발광영역과 비발광영역을 구비한 기판과|상기 비발광영역상에 형성된 제1전극과|상기 비발광영역상에 형성되어 상기 제1전극의 일측과 오버랩되는 제2전극과|상기 비발광영역상에 형성되어 상기 제1의 타측과 오버랩되는 제3전극과|상기 제2전극 및 제3전극과 제1전극사이에 개재된 제1절연막과|상기 기판상에 형성되어 상기 제2전극 및 제3전극과 콘택되는 반도체층과|기판상에 형성되어 상기 제2전극 및 제3전극중 하나의 전극을 노출시키는 비어홀을 구비한 제2절연막과|상기 발광영역의 제2절연막상에 형성되고 상기 비어홀을 통해 상기 하나의 전극에 연결되는 화소전극을 구비하며,상기 제2전극은 상기 반도체층보다 일함수가 큰 물질을 포함하고, 상기 제3전극은 반사 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제5항에 있어서, 상기 제2전극과 제3전극은 서로 다른 전극물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제5항 또는 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체층은 유기반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제5항 또는 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2전극은 소오스 전극으로서, Au, Pt 및 Pd 로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제5항 또는 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3전극은 드레인 전극으로서, Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막 및 Ti로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제5항에 있어서, 상기 제2전극과 제3전극중 상기 하나의 전극은 상기 발광영역까지 연장형성되어 상기 화소전극과 오버랩되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제10항에 있어서, 상기 제2전극과 제3전극중 상기 하나의 전극은 반사 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제11항에 있어서, 상기 하나의 전극은 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막 및 Ti로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제10항에 있어서, 상기 반도체층은 유기반도체층을 포함하고, 상기 제2전극과 제3전극중 다른 하나의 전극은 상기 반도체층보다 일함수가 큰 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제13항에 있어서, 상기 다른 하나의 전극은 Au, Pt 및 Pd 로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제5항에 있어서, 상기 제1절연막은 게이트 절연막이고, 상기 제2절연막은 보호막이며, 상기 제1절연막과 제2절연막중 적어도 하나는 유기 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.기판과|기판상에 배열되는 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과|상기 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되고, 발광영역과 비발광영역을 구비하는 화소영역과|상기 화소영역중 발광영역에 배열되고, 화소전극을 구비하는 표시소자와|상기 화소영역중 비발광영역에 배열되고, 게이트 전극, 서로 다른 전극물질을 포함하는 소오스전극 및 드레인 전극과, 상기 게이트전극과 소오스전극 및 드레인 전극사이에 개재되어 상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층을 구비하는 유기 박막 트랜지스터와|상기 발광영역의 화소전극하부에 형성되고, 상기 화소전극과 오버랩되어 상기 표시소자로부터의 광을 반사시켜 주는 반사전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제16항에 있어서, 상기 반사전극은 상기 비발광영역까지 연장형성되고, 상기 비발광영역에 연장형성된 부분은 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제16항 또는 제17항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사전극은 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막 및 Ti로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제16항에 있어서, 상기 반도체층은 유기반도체층을 포함하고, 상기 소오스 전극은 상기 유기 반도체층보다 일함수가 큰 전극물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.제19항에 있어서, 상기 소오스 전극은 Au, Pt 및 Pd 로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.발광영역 및 비발광영역을 구비한 기판과|상기 기판의 비발광영역에 배열되고, 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양측과 각각 오버랩되어 서로 다른 물질을 포함하는 소오스/드레인 전극 및 상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층을 구비하는 유기 박막 트랜지스터와|기판상에 형성되어 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극을 노출시키는 비어홀을 구비한 절연막과|상기 절연막의 발광영역상에 형성되어 상기 비어홀을 통해 상기 하나의 전극에 연결되고, 하부전극, 유기막층 및 상부전극을 구비하는 유기발광소자를 구비하며,상기 유기 박막 트랜지스터의 하나의 전극은 상기 발광영역까지 연장형성되어 유기전계 발광소자의 하부전극과 오버랩되고, 상기 하나의 전극중 상기 하부전극과 오버랩된 부분은 상기 유기막층으로부터 발광되는 광을 반사시켜 주기 위한 반사막의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치.제21항에 있어서, 상기 소오스 전극과 드레인 전극중 드레인 전극이 화소전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치.제22항에 있어서, 상기 드레인 전극은 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막 및 Ti로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치.제21항에 있어서, 상기 반도체층은 유기 반도체층을 포함하고, 상기 소오스 전극은 상기 유기 반도체층보다 일함수가 큰 전극물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치.제24항에 있어서, 상기 소오스 전극은 Au, Pt 및 Pd 로부터 선택되는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치.제21항에 있어서, 상기 절연막은 보호막으로서, 유기절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치.