초록 ▼

본 발명은 양자구조 적외선 수광소자에 관한 것으로서, 다이오드 형태의 양자구조 적외선 수광소자가 아닌, 양자우물이나 양자점과 헴트(HEMT ; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR)를 결합한 양자구조의 적외선 수광소자를 형성하여 높은 광전류를 가지고 CMOS 스위치 없이 수광소자 자체로 스위칭이 가능하며 수광소자 자체를 트랜지스터로서 ROIC(READ OUT INTEGRATED CIRCUIT) 제작에 이용할 수 있도록 할 뿐만 아니라 게이트 금속 형태를 빗살 형태의 회절격자 형식으로 형성하여 적외선이 여러 방

본 발명은 양자구조 적외선 수광소자에 관한 것으로서, 다이오드 형태의 양자구조 적외선 수광소자가 아닌, 양자우물이나 양자점과 헴트(HEMT ; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR)를 결합한 양자구조의 적외선 수광소자를 형성하여 높은 광전류를 가지고 CMOS 스위치 없이 수광소자 자체로 스위칭이 가능하며 수광소자 자체를 트랜지스터로서 ROIC(READ OUT INTEGRATED CIRCUIT) 제작에 이용할 수 있도록 할 뿐만 아니라 게이트 금속 형태를 빗살 형태의 회절격자 형식으로 형성하여 적외선이 여러 방향으로 입사되도록 함으로써 양자 효율을 높일 수 있도록 한 것이다.

대표청구항

양자구조와 헴트구조가 결합된 양자구조 적외선 수광소자에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 버퍼층과, 상기 버퍼층상에 형성되는 양자구조층과, 상기 양자구조층 상에 형성된 베리어층과, 상기 베리어층상의 일정영역에 형성된 소스, 드레인, 게이트전극과, 상기 양자구조층의 상하부 중 어느 한 위치에 형성된 채널층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 적외선 수광소자.

양자구조와 헴트구조가 결합된 양자구조 적외선 수광소자에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 버퍼층과, 상기 버퍼층상에 형성되는 양자구조층과, 상기 양자구조층 상에 형성된 베리어층과, 상기 베리어층상의 일정영역에 형성된 소스, 드레인, 게이트전극과, 상기 양자구조층의 상하부 중 어느 한 위치에 형성된 채널층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 적외선 수광소자.