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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2005-0026185 (2005-03-29) |
공개번호 | 10-2006-0104232 (2006-10-09) |
등록번호 | 10-0689826-0000 (2007-02-26) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050026185 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2005-03-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
불소를 함유하는 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착(CVD) 방법들이 제공된다. 이 방법들은 집적회로 기판을 준비하는 것과 상기 집적회로 기판을 챔버 내의 척 상에 로딩시키는 것을 구비한다. 상기 챔버 내로 공정 가스들을 주입하여 상기 집적회로 기판 상에 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막을 형성한다. 상기 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막은 적어도 불소 함유된 화학적 식각 가스(FLUORINE-BASED CHEMICAL ETCHING GAS) 및 실리콘 소스 가스를 사용하여 20 MTORR 내지 100 MT
집적회로 기판을 준비하고,상기 집적회로 기판을 챔버 내에 설치된 척 상에 로딩시키고,상기 챔버 내로 적어도 불소 함유된 화학적 식각 가스(FLUORINE-BASED CHEMICAL ETCHING GAS) 및 실리콘 소스 가스를 포함하는 공정 가스들을 주입하여 상기 집적회로 기판 상에 30 MTORR 내지 90 MTORR의 공정 압력 하에서 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막(MAIN HDP CVD OXIDE LAYER)을 형성하는 것을 포함하되, 상기 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막의 형성 동안 상기 불소 함유된 화학적 식각 가
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