초록 ▼

불소를 함유하는 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착(CVD) 방법들이 제공된다. 이 방법들은 집적회로 기판을 준비하는 것과 상기 집적회로 기판을 챔버 내의 척 상에 로딩시키는 것을 구비한다. 상기 챔버 내로 공정 가스들을 주입하여 상기 집적회로 기판 상에 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막을 형성한다. 상기 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막은 적어도 불소 함유된 화학적 식각 가스(FLUORINE-BASED CHEMICAL ETCHING GAS) 및 실리콘 소스 가스를 사용하여 20 MTORR 내지 100 MT

불소를 함유하는 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착(CVD) 방법들이 제공된다. 이 방법들은 집적회로 기판을 준비하는 것과 상기 집적회로 기판을 챔버 내의 척 상에 로딩시키는 것을 구비한다. 상기 챔버 내로 공정 가스들을 주입하여 상기 집적회로 기판 상에 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막을 형성한다. 상기 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막은 적어도 불소 함유된 화학적 식각 가스(FLUORINE-BASED CHEMICAL ETCHING GAS) 및 실리콘 소스 가스를 사용하여 20 MTORR 내지 100 MTORR의 높은 공정 압력 하에서 형성된다. 상기 불소 함유된 화학적 식각 가스의 유량은 상기 실리콘 소스 가스의 유량의 0.5배 내지 0.9배이다. 상기 고밀도 플라즈마 CVD 공정을 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법들 역시 제공된다.

대표청구항 ▼

집적회로 기판을 준비하고,상기 집적회로 기판을 챔버 내에 설치된 척 상에 로딩시키고,상기 챔버 내로 적어도 불소 함유된 화학적 식각 가스(FLUORINE-BASED CHEMICAL ETCHING GAS) 및 실리콘 소스 가스를 포함하는 공정 가스들을 주입하여 상기 집적회로 기판 상에 30 MTORR 내지 90 MTORR의 공정 압력 하에서 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막(MAIN HDP CVD OXIDE LAYER)을 형성하는 것을 포함하되, 상기 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막의 형성 동안 상기 불소 함유된 화학적 식각 가

집적회로 기판을 준비하고,상기 집적회로 기판을 챔버 내에 설치된 척 상에 로딩시키고,상기 챔버 내로 적어도 불소 함유된 화학적 식각 가스(FLUORINE-BASED CHEMICAL ETCHING GAS) 및 실리콘 소스 가스를 포함하는 공정 가스들을 주입하여 상기 집적회로 기판 상에 30 MTORR 내지 90 MTORR의 공정 압력 하에서 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막(MAIN HDP CVD OXIDE LAYER)을 형성하는 것을 포함하되, 상기 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막의 형성 동안 상기 불소 함유된 화학적 식각 가스의 유량은 상기 실리콘 소스 가스의 유량의 0.64배 내지 0.88배인 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 CVD 방법.