본 발명은 판상 알루미나의 제조방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 쌍정 및 응집이 없고, 좁은 입도분포를 갖고 있어 분산성이 우수한 판상 알파알루미나를 경제적이고 효율적으로 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면 융제법에 의한 판상 알루미나의 제조방법에 있어서, 80~1800℃/HR의승온 속도로 700~950℃ 까지 가열한 후 0.1~5 시간 유지하고, 다시 30~600℃/HR의 승온 속도로 1000~1400℃까지 재가열한 후 1~10시간 유지고, 이어서 실온까지 노냉(爐冷)하는 것으로 구성되는, 평균 입경이 10~50
본 발명은 판상 알루미나의 제조방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 쌍정 및 응집이 없고, 좁은 입도분포를 갖고 있어 분산성이 우수한 판상 알파알루미나를 경제적이고 효율적으로 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면 융제법에 의한 판상 알루미나의 제조방법에 있어서, 80~1800℃/HR의승온 속도로 700~950℃ 까지 가열한 후 0.1~5 시간 유지하고, 다시 30~600℃/HR의 승온 속도로 1000~1400℃까지 재가열한 후 1~10시간 유지고, 이어서 실온까지 노냉(爐冷)하는 것으로 구성되는, 평균 입경이 10~50㎛이고 입자 두께가 0.1~0.8㎛이며, 종횡비가 50~500인 판상 알파알루미나의 제조방법이 제공되며, 본 발명의 제조방법에 의하여 제조되는 판상 알파알루미나는 쌍정이나 응집, 미립자 또는 단편이 없으며, 좁은 입도 분포를 갖고 있으며, 입자 크기가 10~50㎛, 두께가 0.1~0.8㎛이고, 종횡비가 50~500으로서 물에 현탁 교반하면 아름다운 유선을 나타내므로, 그 우수한 분산성으로 인하여 펄 안료, 화장품의 체질안료, 백색안료, 수지 충진제, 연마패드 등의 원료로서 적합하게 사용될 수가 있다.
대표청구항▼
융제법에 의한 판상 알루미나의 제조방법에 있어서, 180~1800℃/hr의 승온 속도로 800~950℃ 까지 가열한 후 0.1~5 시간 유지하고, 다시 30~600℃/hr의 승온 속도로 1000~1400까지 재가열한 후 1~10시간 유지고, 이어서 실온까지 노냉(爐冷)하는 것으로 구성되는, 평균 입경이 10~50㎛이고 입자 두께가 0.1~0.8㎛이며, 종횡비가 50~500인 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항에 있어서, 상기한 노냉에 후속하여, 상온~110℃의 물로 융제를 제거하는 것으로 구성되는 판상
융제법에 의한 판상 알루미나의 제조방법에 있어서, 180~1800℃/hr의 승온 속도로 800~950℃ 까지 가열한 후 0.1~5 시간 유지하고, 다시 30~600℃/hr의 승온 속도로 1000~1400까지 재가열한 후 1~10시간 유지고, 이어서 실온까지 노냉(爐冷)하는 것으로 구성되는, 평균 입경이 10~50㎛이고 입자 두께가 0.1~0.8㎛이며, 종횡비가 50~500인 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항에 있어서, 상기한 노냉에 후속하여, 상온~110℃의 물로 융제를 제거하는 것으로 구성되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제2항에 있어서, 상기한 융제 제거에 후속하여, 분급 처리 및 산 처리로 이루어지는 후처리를 더욱 수행하는 것으로 구성되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 무수황산알루미늄 첨가량이 수산화알루미늄 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.1몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, NaF가 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~2몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, AlF3가 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~1몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, KPF6 또는 NaPF6의 인불화물 또는 인 이온이 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.3몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, Na2SiF6 또는 MgSiF6 ㆍ 6H2O의 규소불화물 또는 규소이온이 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.1몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, K2TiF6 또는 Na2TiF6로 대표되는 티타늄불화물 또는 티타늄이온이 알루미늄염 또는 전이알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.3몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, MgF2의 마그네슘이온이 알루미늄염 또는 전이알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.2몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, CaF2 또는 CaSO4·1/2H2O의 칼슘이온이 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~1.0몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, K2ZrF6 또는 Na2ZrF6의 지르코늄불화물 및 지르코늄이온이 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.5몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
연구과제 타임라인
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이 특허를 인용한 특허 (3)
[한국]
판상 산화 알루미늄 및 이의 제조방법 |
강광중,
남경돈,
손용호,
정명호,
최병기,
임광수,
장길완
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