초록 ▼

본 발명은 항균성 나노 입자의 적층과 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 제조방법은 은, 금, 동 등의 전구체를 증류수에 용해하여 이온 수용액을 제조하는 단계; 담체에 혼합하여 공극으로 침투시키고 고정시켜 이온 담체를 제조하는 단계; 환원제로 석출시켜 약 0.7 내지 10NM의 금속 입자로 담체 하는 단계; 와 담체를 가수분해 시켜 콜로이드 전 이체를 제조하는 단계; 및 스테인레스 등의 기판에 완충재를 석출시켜 완충 기판을 제조하는 단계; 및 상기의 콜로이드 전이 체에 침적하면 항균성 금속 나노 입자가 콜로이드 전이체로부터 탈리하

본 발명은 항균성 나노 입자의 적층과 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 제조방법은 은, 금, 동 등의 전구체를 증류수에 용해하여 이온 수용액을 제조하는 단계; 담체에 혼합하여 공극으로 침투시키고 고정시켜 이온 담체를 제조하는 단계; 환원제로 석출시켜 약 0.7 내지 10NM의 금속 입자로 담체 하는 단계; 와 담체를 가수분해 시켜 콜로이드 전 이체를 제조하는 단계; 및 스테인레스 등의 기판에 완충재를 석출시켜 완충 기판을 제조하는 단계; 및 상기의 콜로이드 전이 체에 침적하면 항균성 금속 나노 입자가 콜로이드 전이체로부터 탈리하여 표면에 흡착, 적층되는 단계를 포함하고 있다. 본 발명에 따르면 항균성이 우수하며, 입자를 임의 크기로 조절 이 가능하고, 기판과의 결합성이 우수하며, 내 변색 성 및 내 마모 성 등이 뛰어난 항균성 금속 나노 입자 적층을 제조할 수 있다.

대표청구항 ▼

전구체(A)를 증류수에 용해하여 이온 수용액을 제조하는 단계;이온 수용액을 담체(B)에 첨가 침투 고정시켜 이온담체를 제조하는 단계;이온담체에 환원제(D)를 첨가하여 이온을 금속나노입자담체 화 하는 단계;금속담체를 가수분해하여 단량체 화 하여 금속 나노 입자를 포함하는 콜로이드 전이 체를 제조하는 단계;기판을 완충재(C) 수용액에 침적하여 완충재가 기판에 흡착 결합하고 표면에는 실란 올 등의 관능기를 형성시켜 완충 층을 형성시켜 완충 기판을 제조하는 단계;완충 기판을 콜로이드 전이 체에 침적하여 금속 입자를 적층하는 단계를 포함하는

전구체(A)를 증류수에 용해하여 이온 수용액을 제조하는 단계;이온 수용액을 담체(B)에 첨가 침투 고정시켜 이온담체를 제조하는 단계;이온담체에 환원제(D)를 첨가하여 이온을 금속나노입자담체 화 하는 단계;금속담체를 가수분해하여 단량체 화 하여 금속 나노 입자를 포함하는 콜로이드 전이 체를 제조하는 단계;기판을 완충재(C) 수용액에 침적하여 완충재가 기판에 흡착 결합하고 표면에는 실란 올 등의 관능기를 형성시켜 완충 층을 형성시켜 완충 기판을 제조하는 단계;완충 기판을 콜로이드 전이 체에 침적하여 금속 입자를 적층하는 단계를 포함하는 항균성 금속 나노 입자 적층과 이의 제조방법.