최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC9판) |
|
출원번호 | 10-2005-0096802 (2005-10-14) |
공개번호 | 10-2007-0041072 (2007-04-18) |
등록번호 | 10-0822078-0000 (2008-04-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050096802 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2005-10-14) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 항균성 나노 입자의 적층과 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 제조방법은 은, 금, 동 등의 전구체를 증류수에 용해하여 이온 수용액을 제조하는 단계; 담체에 혼합하여 공극으로 침투시키고 고정시켜 이온 담체를 제조하는 단계; 환원제로 석출시켜 약 0.7 내지 10NM의 금속 입자로 담체 하는 단계; 와 담체를 가수분해 시켜 콜로이드 전 이체를 제조하는 단계; 및 스테인레스 등의 기판에 완충재를 석출시켜 완충 기판을 제조하는 단계; 및 상기의 콜로이드 전이 체에 침적하면 항균성 금속 나노 입자가 콜로이드 전이체로부터 탈리하
전구체(A)를 증류수에 용해하여 이온 수용액을 제조하는 단계;이온 수용액을 담체(B)에 첨가 침투 고정시켜 이온담체를 제조하는 단계;이온담체에 환원제(D)를 첨가하여 이온을 금속나노입자담체 화 하는 단계;금속담체를 가수분해하여 단량체 화 하여 금속 나노 입자를 포함하는 콜로이드 전이 체를 제조하는 단계;기판을 완충재(C) 수용액에 침적하여 완충재가 기판에 흡착 결합하고 표면에는 실란 올 등의 관능기를 형성시켜 완충 층을 형성시켜 완충 기판을 제조하는 단계;완충 기판을 콜로이드 전이 체에 침적하여 금속 입자를 적층하는 단계를 포함하는
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.