다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
|---|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) |
|
|
| 출원번호 | 10-2005-0115814 (2005-11-30) | |
| 공개번호 | 10-2007-0056758 (2007-06-04) | |
| 등록번호 | 10-1226076-0000 (2013-01-18) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020050115814 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
|
|
| 대리인 / 주소 |
|
|
| 심사청구여부 | 있음 (2010-11-29) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 소멸 |
본 발명은 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 자성체막을 형성하는 단계와, 상기 자성체막 상에 전자빔 조사에 의해 결정화가능한 비정질 탄소박막을 증착하는 단계와, 상기 탄소박막에 전자빔을 원하는 나노배열패턴에 따라 조사하는 단계 - 여기서, 상기 탄소박막 중 전자빔이 조사된 영역은 결정화됨-;와, 상기 전자빔이 조사된 영역으로 정의되는 탄소박막패턴이 형성되도록 상기 탄소박막의 비정질영역을 제거하는 단계와, 상기 탄소박막패턴을 마스크로 이용하여 상기 자성체막을 건식 식각함으로써 나노자성체 어레이를 형성하는
기판 상에 자성체막을 형성하는 단계;상기 자성체막 상에 전자빔 조사에 의해 결정화가능한 비정질 탄소박막을 증착하는 단계;상기 탄소박막에 전자빔을 원하는 나노배열패턴에 따라 조사하는 단계 - 여기서, 상기 탄소박막 중 전자빔이 조사된 영역은 결정화됨-;상기 전자빔이 조사된 영역으로 정의되는 탄소박막패턴이 형성되도록 상기 탄소박막의 비정질영역을 제거하는 단계;상기 탄소박막패턴을 마스크로 이용하여 상기 자성체막을 식각함으로써 나노자성체 어레이를 형성하는 단계; 및상기 탄소박막패턴을 상기 나노 자성체 어레이로부터 제거하는 단계를 포함하는
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.