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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2005-0129658 (2005-12-26) |
등록번호 | 10-0645220-0000 (2006-11-03) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050129658 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2005-12-26) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명에 따르면, 이미지 센서의 표면 상에 마이크로 렌즈를 위한 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층을 감쇠형 위상 시프트 마스크(ATTENUATED PSM)를 이용하여 노광하되 사이드 로브(SIDE LOBE)를 수반하며 노광하고, 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트 패턴들을 형성한 후, 리플로우(REFLOW)하여 상호 간에 연결된 마이크로 렌즈들을 형성하는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 제조 방법을 제시한다.
이미지 센서의 표면 상에 마이크로 렌즈를 위한 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층을 감쇠형 위상 시프트 마스크를 이용하여 노광하되 사이드 로브를 수반하며 노광하는 단계;상기 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 리플로우(REFLOW)하여 상호 간에 연결된 마이크로 렌즈들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 제조 방법.
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