IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 |
10-2006-0049246
(2006-06-01)
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공개번호 |
10-2007-0059854
(2007-06-12)
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등록번호 |
10-0794673-0000
(2008-01-08)
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020060049246
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발명자
/ 주소 |
- 김기수
/ 대전 유성구 가정동 ***-* *-***호
- 심은덕
/ 대전 유성구 신성동 ***-*
- 한원석
/ 대전 유성구 신성동 한울아파트 ***-***
- 김성복
/ 대전 유성구 전민동 엑스포아파트 ***-***호
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출원인 / 주소 |
- 한국전자통신연구원 / 대전 유성구 가정동 ***번지
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대리인 / 주소 |
-
신영무
(SHIN, Young Moo)
-
서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층
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심사청구여부 |
있음 (2006-06-01) |
심사진행상태 |
등록결정(일반) |
법적상태 |
소멸 |
초록
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본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드에 관한 것으로, 본 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물은, InP 기판과, 상기 InP기판 상에 적층되며, InAlGaAs층 및 상기 InAlGaAs층보다 낮은 굴절률을 갖는 InAlAs층으로 이루어진 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층과, 상기 InAlGaAs/InAlAs DBR층이 소정 개수 적층될 때마다 삽입되는 상기 InAlGaAs층 및 InP
본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드에 관한 것으로, 본 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물은, InP 기판과, 상기 InP기판 상에 적층되며, InAlGaAs층 및 상기 InAlGaAs층보다 낮은 굴절률을 갖는 InAlAs층으로 이루어진 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층과, 상기 InAlGaAs/InAlAs DBR층이 소정 개수 적층될 때마다 삽입되는 상기 InAlGaAs층 및 InP층으로 이루어진 InAlGaAs/InP DBR층을 포함한다. 이에 따라, DBR 구조물의 표면 상태를 개선하여 결함이 없는 양질의 박막을 유지하고, 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한, 표면 상태가 개선된 양질의 DBR 구조물을 사용하여 DBR의 반사율을 향상시킴으로써, 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 자체의 특성을 향상시킬 수 있다.
대표청구항
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INP 기판과,상기 INP기판 상에 적층되며, INALGAAS층 및 상기 INALGAAS층보다 낮은 굴절률을 갖는 상기 INALAS층으로 이루어진 복수의 INALGAAS/INALAS DBR층과,상기 INALGAAS/INALAS DBR층이 소정 개수 적층될 때마다 삽입되는 상기 INALGAAS층 및 INP층으로 이루어진 INALGAAS/INP DBR층을 포함하는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물.제1항에 있어서,상기 INALGAAS/INALAS DBR층의 적층 개수는 3 ~ 20에서 선택되는 수직 공진 표면 발광
INP 기판과,상기 INP기판 상에 적층되며, INALGAAS층 및 상기 INALGAAS층보다 낮은 굴절률을 갖는 상기 INALAS층으로 이루어진 복수의 INALGAAS/INALAS DBR층과,상기 INALGAAS/INALAS DBR층이 소정 개수 적층될 때마다 삽입되는 상기 INALGAAS층 및 INP층으로 이루어진 INALGAAS/INP DBR층을 포함하는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물.제1항에 있어서,상기 INALGAAS/INALAS DBR층의 적층 개수는 3 ~ 20에서 선택되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물.제1항에 있어서,상기 INALGAAS층의 굴절률은 3.3 ~ 3.5인 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물.제1항에 있어서,상기 INALAS층의 굴절률은 3.2 ~ 3.24인 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물.제4항에 있어서,상기 INP층의 굴절률은 상기 INALAS층의 굴절률 범위에서 선택되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물.(Ⅰ)INP 기판을 형성하는 단계와,(Ⅱ)INALGAAS층 및 상기 INALGAAS층보다 낮은 굴절률을 갖는 INALAS층으로 이루어진 INALGAAS/INALAS DBR층을 상기 INP기판 상에 복수 개 적층하는 단계와,(Ⅲ)상기 적층된 INALGAAS/INALAS DBR층 상에 상기 INALGAAS층 및 INP층으로 이루어진 INALGAAS/INP DBR층을 형성하는 단계와,(Ⅳ) 상기 (Ⅱ) 및 상기 (Ⅲ) 단계를 소정 회수 반복하는 단계를 포함하는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 제조 방법.제6항에 있어서,상기 INALGAAS/INALAS DBR층의 적층 개수는 3 ~ 20개에서 선택되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 제조 방법.제6항에 있어서,상기 INALGAAS층, 상기 INALAS층 및 상기 INP층은 N-타입 도펀트 또는 P-타입 도펀트 중 하나를 이용하여 도핑되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 제조 방법.제6항에 있어서,내부 공진 접합(INTRA-CAVITY JUNCTION)을 이용하는 경우, 상기 INALGAAS층, 상기 INALAS층 및 상기 INP층은 도핑되지 않는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 제조 방법.INP 기판상에 형성되는 하부 DBR 구조물과, 상기 하부 DBR 구조물 상에 형성되는 캐비티 영역과, 상기 캐비티 영역 상에 형성되는 상부 DBR 구조물을 포함하며,상기 하부 DBR 구조물 및 상기 상부 DBR 구조물 중 적어도 하나는, 상기 INP기판 상에 적층되며, INALGAAS층 및 상기 INALGAAS층보다 낮은 굴절률을 갖는 상기 INALAS층으로 이루어진 복수의 INALGAAS/INALAS DBR층과,상기 INALGAAS/INALAS DBR층이 소정 개수 적층될 때마다 삽입되는 상기 INALGAAS층 및 INP층으로 이루어진 INALGAAS/INP DBR층을 포함하는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드.제10항에 있어서,상기 INALGAAS/INALAS DBR층의 적층 개수는 3 ~ 20개에서 선택되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드.제10항에 있어서,상기 INALGAAS층의 굴절률은 3.3 ~ 3.5인 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드.제10항에 있어서,상기 INALAS층의 굴절률은 3.2 ~3.24 인 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드.제13항에 있어서,상기 INP층의 굴절률은 상기 INALAS층의 굴절률 범위에서 선택되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드.제10항에 있어서,상기 상부 DBR 구조물 및 하부 DBR 구조물은 N-타입 도펀트 또는 P-타입 도펀트를 이용하여 도핑되는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드.제10항에 있어서, 내부 공진 접합(INTRA-CAVITY JUNCTION)을 이용하는 경우, 상기 상부 DBR 구조물 및 하부 DBR 구조물은 도핑되지 않는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드.제10항에 있어서,발진 파장이 약 1㎛ ~ 1.6㎛인 레이저를 사용하는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드.
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