초록

제너 전압을 정밀하게 결정할 수 있고, 제너 전압의 변동이 없는 제너 다이오드를 제공한다. 반도체기판과, 반도체기판의 표면에 형성된 제1도전형의 제1영역과, 반도체기판의 표면에 제1영역에 포함되도록 형성된 제2도전형의 제2영역을 포함하고, 제1영역과 제2영역과의 접합면을 PN접합면으로 한 제너 다이오드에 있어서, 제1영역안의 제1도전형의 불순물 농도가 반도체기판의 표면에 있어서 가장 높아지고, 제2영역안의 제2도전형의 불순물 농도가 반도체기판의 표면에 있어서 가장 높아진다.

대표청구항

반도체 기판과,상기 반도체 기판의 표면에 형성된 제1도전형의 제1영역과,상기 반도체 기판의 표면에 상기 제1영역에 포함되도록 형성된 제2도전형의 제2영역을 포함하고,상기 제1영역과 상기 제2영역과의 접합면을 PN 접합면으로 한 제너 다이오드로서,상기 제1영역 안의 상기 제1도전형의 불순물 농도가, 상기 반도체 기판의 표면에 있어서 가장 높아지고, 상기 제2영역 안의 상기 제2도전형의 불순물 농도가, 상기 반도체 기판의 표면에 있어서 가장 높아지는 것을 특징으로 하는 제너 다이오드.

반도체 기판과,상기 반도체 기판의 표면에 형성된 제1도전형의 제1영역과,상기 반도체 기판의 표면에 상기 제1영역에 포함되도록 형성된 제2도전형의 제2영역을 포함하고,상기 제1영역과 상기 제2영역과의 접합면을 PN 접합면으로 한 제너 다이오드로서,상기 제1영역 안의 상기 제1도전형의 불순물 농도가, 상기 반도체 기판의 표면에 있어서 가장 높아지고, 상기 제2영역 안의 상기 제2도전형의 불순물 농도가, 상기 반도체 기판의 표면에 있어서 가장 높아지는 것을 특징으로 하는 제너 다이오드.