야마모또, 아끼라
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이찌노헤, 쇼지
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다베이, 에이이찌
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출원인 / 주소
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 / 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
대리인 / 주소
장수길;
구영창;
김영
(CHANG, Soo Kil)
서울 종로구 내자동 세양빌딩 (김.장법률사무소);
서울 종로구 신문로*가 ***번지 흥국생명빌딩*층(김.장법률사무소);
서울시 종로구 신문로*가 ***번지 흥국생명빌딩 *층(김.장법률사무소)
심사진행상태
취하(심사미청구)
법적상태
취하
초록▼
본 발명은 에폭시 수지에 첨가함으로써 해당 에폭시 수지의 표면 장력을 내려 수지의 유동성을 높일 수 있으며, 에폭시 수지용 레벨링제, 유동화제로서 효과적으로 사용되는 에폭시 수지용 첨가제 및 이것을 첨가하여 얻은 에폭시 수지 조성물을 제공한다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 변성 저분자량 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지용 첨가제 및 이 에폭시 수지용 첨가제를 에폭시 수지 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부 배합하여 얻어진다. 단, A는 각각 독립적으로 R1, R2
본 발명은 에폭시 수지에 첨가함으로써 해당 에폭시 수지의 표면 장력을 내려 수지의 유동성을 높일 수 있으며, 에폭시 수지용 레벨링제, 유동화제로서 효과적으로 사용되는 에폭시 수지용 첨가제 및 이것을 첨가하여 얻은 에폭시 수지 조성물을 제공한다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 변성 저분자량 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지용 첨가제 및 이 에폭시 수지용 첨가제를 에폭시 수지 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부 배합하여 얻어진다. 단, A는 각각 독립적으로 R1, R2, ME로부터 선택되는 기(R1, R2는 각각 하기 구조 로 표시되는 기임)이고, 독립된 A 중 하나만이 R1 또는 R2이고, 나머지 A 기는 ME이고, ME는 메틸기이고, N은 0 내지 2의 정수이다.
대표청구항▼
하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 변성 저분자량 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지용 첨가제. 단, A는 각각 독립적으로 R1, R2, Me로부터 선택되는 기(R1, R2는 각각 하기 구조 로 표시되는 기임)이고, 독립된 A 중 하나만이 R1 또는 R2이고, 나머지 A 기는 Me이고, Me는 메틸기이고, n은 0 내지 2의 정수이다.제1항에 있어서, 에폭시 변성 저분자량 실리콘이 하기 화학식 2로 표시되는 것인 에폭시 수지용 첨가제. 단, B는 R1 또는 R2(R1, R2는 각각 하기 구조 로 표시되는 기임)이고,
하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 변성 저분자량 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지용 첨가제. 단, A는 각각 독립적으로 R1, R2, Me로부터 선택되는 기(R1, R2는 각각 하기 구조 로 표시되는 기임)이고, 독립된 A 중 하나만이 R1 또는 R2이고, 나머지 A 기는 Me이고, Me는 메틸기이고, n은 0 내지 2의 정수이다.제1항에 있어서, 에폭시 변성 저분자량 실리콘이 하기 화학식 2로 표시되는 것인 에폭시 수지용 첨가제. 단, B는 R1 또는 R2(R1, R2는 각각 하기 구조 로 표시되는 기임)이고, Me는 메틸기이다.제1항 또는 제2항에 기재된 에폭시 수지용 첨가제를 에폭시 수지 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부 배합하여 얻은 에폭시 수지 조성물.
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