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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0080995 (2006-08-25) |
공개번호 | 10-2008-0018606 (2008-02-28) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060080995 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 잔상을 제거할 수 있는 반투과형 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.본 발명에 따른 반투과형 박막 트랜지스터 기판은 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터와 접속되며 화소 영역에 형성된 화소 전극과; 상기 화소 영역에 포함된 반사 영역에 형성되는 반사 전극을 구비하며 상기 데이터 라인을 사이에 두고 서로 마주보는 상기 반사 전극들 및 화소 전극들 중 어느 하나의 구동 전극들 간의 이격 거리는 3.5㎛~6㎛인 것을 특징으로 한다.
게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와;상기 박막 트랜지스터와 접속되며 화소 영역에 형성된 화소 전극과;상기 화소 영역에 포함된 반사 영역에 형성되는 반사 전극을 구비하며상기 데이터 라인을 사이에 두고 서로 마주보는 상기 반사 전극들 및 화소 전극들 중 어느 하나의 구동 전극들 간의 이격 거리는 3.5㎛~6㎛인 것을 특징으로 하는 반투과 박막 트랜지스터 기판.
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