초록

본 발명은 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 터널 산화막 및 폴리실리콘막이 적층된 반도체 기판 내에 소자 분리막을 형성한 후 소자 분리막을 포함한 전체 구조 상부에 버퍼 산화막 및 스페이서용 PE-질화막을 형성하고, 건식 식각 공정을 실시하여 제1 폴리실리콘막 측면에 버퍼 산화막과 스페이서를 형성한 후 이를 마스크로 스페이서 사이의 소자 분리막을 일부 리세스하여 제1 폴리실리콘막 사이를 제2 폴리실리콘막으로 완전히 이격시킴으로써 플로팅 게이트 간의 간섭 효과를 개선할 수 있다.

대표청구항 ▼

반도체 기판 상부에 적층된 터널 산화막, 제1 폴리실리콘막 및 상기 반도체 기판의 일부를 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 내에 절연막을 매립하여 소자 분리막을 형성하는 단계;상기 소자 분리막 상부를 일부 제거하여 상기 제1 폴리실리콘막 측면의 일부를 노출시키면서 상기 소자 분리막의 EFH를 조절하는 단계;상기 노출된 제1 폴리실리콘막의 측면을 포함한 전체 구조 상부에 버퍼 산화막을 형성한 후 전체 구조 상부에 PE-질화막을 형성하는 단계;식각 공정을 실시하여 상기 제1 폴리실리콘막 측면에 상기 버퍼 산화막 및 스페이서

반도체 기판 상부에 적층된 터널 산화막, 제1 폴리실리콘막 및 상기 반도체 기판의 일부를 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 내에 절연막을 매립하여 소자 분리막을 형성하는 단계;상기 소자 분리막 상부를 일부 제거하여 상기 제1 폴리실리콘막 측면의 일부를 노출시키면서 상기 소자 분리막의 EFH를 조절하는 단계;상기 노출된 제1 폴리실리콘막의 측면을 포함한 전체 구조 상부에 버퍼 산화막을 형성한 후 전체 구조 상부에 PE-질화막을 형성하는 단계;식각 공정을 실시하여 상기 제1 폴리실리콘막 측면에 상기 버퍼 산화막 및 스페이서를 형성한 후 상기 스페이서 사이에 있는 상기 소자 분리막을 상기 터널 산화막 아랫부분까지 리세스하는 단계; 및상기 스페이서 및 버퍼 산화막을 각각 제거한 후 전체 구조 상부에 유전체막 및 제2 폴리실리콘막을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 버퍼 산화막은 50Å 내지 100Å의 두께로 형성하는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 PE-질화막은 100Å 내지 500Å의 두께로 형성하는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 PE-질화막은 상기 소자 분리막 상부에는 얇게 형성되나, 상기 제1 폴리실리콘막 상부에는 두껍게 형성되는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 스페이서는 건식 식각 공정으로 형성되는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 스페이서 사이에 있는 상기 소자 분리막 식각 공정시 100W 내지 500W의 바이어스 파워, 100W 내지 600W의 소스 파워, 0SCCM 내지 100SCCM의 아르곤(AR) 가스를 이용하는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 스페이서 사이에 있는 상기 소자 분리막은 100Å 내지 500Å 두께 정도로 리세스되는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 스페이서 형성 공정과 상기 소자 분리막 리세스 공정은 인-시튜로 실시되는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 스페이서 사이에 있는 상기 소자 분리막 식각 공정시 상기 제1 폴리실리콘막과 소자 분리막의 식각 선택비를 5:1 내지 300:1로 하는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 스페이서는 습식 식각 공정으로 제거되되, 습식 식각 용액으로 H3PO4를 이용하는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.제1항에 있어서, 상기 버퍼 산화막은 HF를 이용한 클리닝 공정을 통해 제거되는 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법.