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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2006-0090465 (2006-09-19) |
| 공개번호 | 10-2007-0109765 (2007-11-15) |
| 등록번호 | 10-0846493-0000 (2008-07-09) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020060090465 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2006-09-19) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
탄소나노튜브 가스 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 탄소나노튜브 가스 센서는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 절연층; 서로 이격되는 지상(指狀, inter-digitated shape) 구조의 전극; 상기 전극 사이의 공간에 상기 전극보다 더 높게 돌출되어 가스의 감지 공간이 되는 탄소나노튜브 격벽; 을 포함한다. 그 제조 방법은, 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 전극보다 더 큰 두께로 탄소나노튜브 페이스트를 도포하는 단계; 상기 탄소나노튜브 페이스트 중 상기 전극 사이의 공간에
기판;상기 기판 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 형성되는 전극;상기 전극 사이의 공간에 상기 전극보다 더 높게 돌출되어 가스의 감지 공간이 되는 탄소나노튜브 격벽; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 가스 센서.
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