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음극산화알루미늄 템플릿을 이용한 산화니켈 나노튜브의제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • B82B-003/00
  • C01G-053/04
  • C01G-053/00
출원번호 10-2006-0098220 (2006-10-10)
공개번호 10-2007-0045911 (2007-05-02)
등록번호 10-0759895-0000 (2007-09-12)
DOI http://doi.org/10.8080/1020060098220
발명자 / 주소
  • 김해진 / 대전 유성구 어은동 한빛아파트 ***-****
  • 이진배 / 대전 중구 문화*동 한밭우성아파트 ***-***
출원인 / 주소
  • 한국기초과학지원연구원 / 대전광역시 유성구 어은동 **번지
대리인 / 주소
  • 김원준 (Kim, Won Joon)
  • 대전시 서구 만년동 ***번지 골드벤처타워***호(타임국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2006-10-10)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 음극산화알루미늄(AAO) 템플릿(template)을 이용한 니켈 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 니켈 나노튜브의 제조방법은 종래 금속 나노튜브의 제조방법과 달리 온화한 조건에서 증류수, 니켈 전구체 및 AAO 템플릿만을 사용하며, 니켈전구체를 AAO 템플릿의 표면에 흡착시켜 나노튜브의 형상을 유지하고 이를 건조함으로써 균일 크기의 나노튜브를 쉽게 수득할 수 있다.본 발명의 제조방법에 따라 만들어진 니켈 나노튜브는 경제적인 수소 저장체나 리튬 2차 전지의 전극 또는 자동차 및 기타 이동 에너지의 저장원으로

대표청구항

(A) AAO 템플릿을 니켈 전구체의 수용액에 담가 니켈 전구체가 AAO 템플릿에 흡착되도록 하는 침지과정; (B) 니켈 전구체가 흡착된 AAO 템플릿을 수용액상에서 분리한 후 감압 건조하여 AAO에 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부분을 제거하는 감압건조과정; (C) 건조된 니켈 전구체가 흡착된 AAO 템플릿을 산소 존재 하에서 열처리하여 표면에 흡착된 니켈 전구체를 산화시키는 산화과정; (D) 상기 산화된 니켈 전구체가 흡착된 AAO 템플릿을 NAOH 또는 KOH 수용액에 담가 AAO 템플릿만을 용해하는 용해과정; (E) 상

발명자의 다른 특허 :

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 금속 나노튜브 및 그 제조방법 | 김영근, 김수효, 전유상
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