초록

광트랜지스터는 장벽(26)에 의해 소스(28)로부터 이격된 활성 영역(24)을 갖는다.드레인(20)은 활성 영역(24)으로부터 측방향으로 이격된다.활성 영역에 입사된 광은 전자-홀 쌍을 생성한다.홀은 장벽에서 축적되어, 전자에 대한 유효 장벽 높이를 조정한다.그 후, 장벽을 낮추는 게이트 리세트 전압이 게이트(4)에 인가되어, 홀이 이탈하도록 허용한다.

대표청구항 ▼

광트랜지스터(phototransistor)에 있어서,활성 영역을 포함하는 광감지(photo-sensitive) 반도체층과,소스층과,상기 반도체층의 상기 활성 영역과 상기 소스층 사이에 배치된 장벽층과,상기 반도체층의 상기 활성 영역의 측방향에 배치된 드레인 영역과,상기 장벽층의 장벽 높이를 제어함으로써, 상기 소스층과 상기 활성 영역 사이의 전자 및 홀의 도전(conduction)을 제어하도록 구성된 게이트층과,상기 게이트층과 상기 반도체층의 상기 활성 영역 사이의 게이트 절연체층을 포함하고,상기 활성 영역은 상기 게이트층과 상기

광트랜지스터(phototransistor)에 있어서,활성 영역을 포함하는 광감지(photo-sensitive) 반도체층과,소스층과,상기 반도체층의 상기 활성 영역과 상기 소스층 사이에 배치된 장벽층과,상기 반도체층의 상기 활성 영역의 측방향에 배치된 드레인 영역과,상기 장벽층의 장벽 높이를 제어함으로써, 상기 소스층과 상기 활성 영역 사이의 전자 및 홀의 도전(conduction)을 제어하도록 구성된 게이트층과,상기 게이트층과 상기 반도체층의 상기 활성 영역 사이의 게이트 절연체층을 포함하고,상기 활성 영역은 상기 게이트층과 상기 장벽층 사이에 배치되는광트랜지스터.