이케가와 나오토
/ 일본 오사카후 가도마시 오아자 가도마 ****반지 마츠시다 덴코가부시키가이샤 내
오카모토 사토시
/ 일본 ******* 이바라키켄 쓰쿠바시 기타하라 * 스미또모 가가꾸가부시끼가이샤 내
가타기리 시로
/ 일본 ******* 이바라키켄 쓰쿠바시 기타하라 * 스미또모 가가꾸가부시끼가이샤 내
출원인 / 주소
파나소닉 전공 주식회사 / 일본 오사카후 가도마시 오아자 가도마 ****반지
스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 / 일본 도쿄 ***-**** 쥬오꾸 신가와 *쪼메 **-*
대리인 / 주소
유미특허법인
(YOU ME Patent & Law Firm)
서울특별시 강남구 역삼동 ***-** 서림빌딩**층(유미특허법인)
심사청구여부
있음 (2006-09-22)
심사진행상태
등록결정(일반)
법적상태
소멸
초록
본 발명은 감소된 유전 손실 탄젠트를 가진 수지 성형물을 제공한다. 상기 수지 성형물은 액정 폴리에스테르 및 에폭시기 함유 에틸렌 코폴리머를 포함하는 수지 조성물에 대해, 상기 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도보다 낮은 온도, 바람직하게는 유동 개시 온도보다 120℃ 낮은 온도인 하한 온도와 상기 유동 개시 온도보다 20℃ 낮은 온도인 상한 온도 사이의 온도에서 열처리를 실행함으로써 얻어진다. 상기 수지 성형물은 열처리하지 않고 수지 조성물로부터 얻어진 수지 성형물의 유전 손실 탄젠트보다 작은 유전 손실 탄젠트를 가진다.
대표청구항▼
액정 폴리에스테르(liquid-crystalline polyester) 및 에폭시기 함유 에틸렌 코폴리머를 포함하는 수지 조성물에 대해, 상기 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도보다 낮은 온도에서 열처리를 실행함으로써 얻어지는 수지 성형물(resin molded article)로서,열처리하지 않고 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 수지 성형물의 유전 손실 탄젠트(dielectric loss tangent)보다 작은 유전 손실 탄젠트를 가지는 것을 특징으로 하는 수지 성형물.제1항에 있어서,상기 수지 성형물의 유전 손실 탄젠트가, 열처
액정 폴리에스테르(liquid-crystalline polyester) 및 에폭시기 함유 에틸렌 코폴리머를 포함하는 수지 조성물에 대해, 상기 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도보다 낮은 온도에서 열처리를 실행함으로써 얻어지는 수지 성형물(resin molded article)로서,열처리하지 않고 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 수지 성형물의 유전 손실 탄젠트(dielectric loss tangent)보다 작은 유전 손실 탄젠트를 가지는 것을 특징으로 하는 수지 성형물.제1항에 있어서,상기 수지 성형물의 유전 손실 탄젠트가, 열처리하지 않고 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 수지 성형물의 유전 손실 탄젠트의 90% 이하인 것을 특징으로 하는 수지 성형물.제1항에 있어서,상기 열처리는, 상기 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도보다 120℃ 낮은 온도인 하한(下限) 온도와 상기 유동 개시 온도보다 20℃ 낮은 온도인 상한(上限) 온도 사이의 온도에서 실행된 것을 특징으로 하는 수지 성형물.제1항에 있어서,상기 에폭시기 함유 에틸렌 코폴리머의 함량은, 상기 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대해 0.1∼25 중량부의 범위인 것을 특징으로 하는 수지 성형물.제1항에 있어서,상기 에폭시기 함유 에틸렌 코폴리머는, 분자 내에 에틸렌 단위를 80∼95 중량% 함유하고, 불포화 카르복시산 글리시딜 에스테르 단위와 불포화 글리시딜 에테르 단위 중 적어도 하나를 5∼15 중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 성형물.제1항에 있어서,상기 액정 폴리에스테르는, 2-하이드록시-6-나프토산으로부터 유도된 반복 단위 30∼80 mol%, 방향족 디올로부터 유도된 반복 단위 10∼35 mol%, 및 방향족 디카르복시산으로부터 유도된 반복 단위 10∼35 mol%를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 성형물.제1항에 있어서,표면 상의 회로 패턴에 형성된 금속막(metal film)을 가진 것을 특징으로 하는 수지 성형물.액정 폴리에스테르 및 에폭시기 함유 에틸렌 코폴리머를 포함하는 수지 조성물을 성형하는 단계| 및얻어지는 성형물에 대해, 상기 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도보다 낮은 온도에서 열처리를 실행함으로써, 열처리하지 않고 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 수지 성형물의 유전 손실 탄젠트보다 작은 유전 손실 탄젠트를 가지는 수지 성형물을 얻는 단계를 포함하는 수지 성형물의 제조 방법.제8항에 있어서,상기 열처리는, 상기 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도보다 120℃ 낮은 온도인 하한 온도와 상기 유동 개시 온도보다 20℃ 낮은 온도인 상한 온도 사이의 온도에서 실행되는 것을 특징으로 하는 수지 성형물의 제조 방법.제8항에 있어서,상기 액정 폴리에스테르는, 방향족 디올과 방향족 하이드록시카르복시산 중 적어도 하나의 페놀계 하이드록시기를 지방산 무수물로 아실화시킴으로써 제조되는 아실화 화합물과, 방향족 디카르복시산과 방향족 하이드록시카르복시산 중 적어도 하나간의 에스테르 교환(ester-exchange) 및 중축합(polycondensation) 반응에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 수지 성형물의 제조 방법.제10항에 있어서,상기 에스테르 교환 및 중축합 반응은, 하기 화학식으로 나타내어지는 이미다졸 화합물의 존재 하에서 실행되는 것을 특징으로 하는 수지 성형물의 제조 방법:상기 식에서, "R1" 내지 "R4"는 각각 수소 원자, 탄소수 1∼4개의 알킬기, 하이드록시메틸기, 시아노기, 탄소수 1∼4개의 시아노알킬기, 탄소수 1∼4개의 시아노알콕시기, 카르복시기, 아미노기, 탄소수 1∼4개의 아미노알킬기, 탄소수 1∼4개의 아미노알콕시기, 페닐기, 벤질기, 페닐프로필기 및 포르밀기로부터 선택됨.
발명자의 다른 특허 :
연구과제 타임라인
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이 특허에 인용된 특허 (1)
[미국]
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Haider M. Ishaq (Bernardsville NJ) Sullivan Vincent J. (Madison NJ) Chen,
Sr. Paul N. (Gillette NJ) Pulaski Harry S. (Wilkes Barre PA)
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