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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2006-7023597 (2006-11-10) |
공개번호 | 10-2007-0019736 (2007-02-15) |
등록번호 | 10-1174926-0000 (2012-08-10) |
국제출원번호 | PCT/JP2005/012007 (2005-06-22) |
국제공개번호 | WO2006006408 (2006-01-19) |
번역문제출일자 | 2006-11-10 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020067023597 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-06-22) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 등록 |
가열된 탱크(4) 내에는, Sn의 원자수%가 15% 이하인 조성을 갖는 Sn-Ga계 합금이 수납되어 있다.가압 펌프로 가압된 Sn 합금은 노즐(1)로 인도되어, 진공 챔버(7) 내에 마련되어 있는 노즐(1)의 선단으로부터 액체 상태의 Sn 합금을 분출한다.노즐(1)로부터 분출된 액체 상태의 Sn 합금은 표면 장력에 의해 구 형상이 되고, 타겟(2)이 된다.진공 챔버(7)의 밖에 배치된 Nd : YAG 레이저 광원(8)으로부터 발생한 레이저 광은 렌즈(9)에서 집광되어 진공 챔버(7) 내로 인도된다.레이저가 조사된 타겟(2)은 플라즈
타겟 물질을 플라즈마화하고, 그 때에 방출되는 EUV 광을 광원으로 하는 EUV 광원으로서,액체 형상의 타겟을 분출하는 노즐을 구비하되,상기 타겟은 Sn의 원자수%가 15% 이하인 Sn-Ga(주석-갈륨)계 합금인 것을 특징으로 하는EUV 광원.
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