최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
출원번호 | 10-2007-0001280 (2007-01-05) |
공개번호 | 10-2008-0064412 (2008-07-09) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020070001280 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명에 의한 광센서는 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체, 상기 반도체 위에 형성되어 있는 산화막, 상기 산화막 위에 형성되어 있는 저항성 접촉 부재, 그리고 상기 저항성 접촉 부재 위에 형성되어 있는 보호막을 포함한다.
기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극,상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체,상기 반도체 위에 형성되어 있는 산화막,상기 산화막 위에 형성되어 있는 저항성 접촉 부재, 그리고상기 저항성 접촉 부재 위에 형성되어 있는 보호막을 포함하는 광센서.
해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.