초록 ▼

본 발명은 고유전율 박막에 인시튜(in-situ)로 도펀트(dopant)를 포함시키고, 도펀트의 위치 및 프로파일을 정확하게 조절할 수 있어 유전체의 특성을 향상시킴과 동시에, 공정수를 절감하고 공정온도를 낮춤으로써 생산성을 향상시키며 제조비용도 현저하게 절감할 수 있는 고유전율 박막의 형성방법을 제공하는데 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 증착법을 통해 기판상에 고유전율 박막을 형성하는 방법으로, (a) 금속 전구체와 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여 박막을 형성하는 단계와, (b) 금속 전구체, 상

본 발명은 고유전율 박막에 인시튜(in-situ)로 도펀트(dopant)를 포함시키고, 도펀트의 위치 및 프로파일을 정확하게 조절할 수 있어 유전체의 특성을 향상시킴과 동시에, 공정수를 절감하고 공정온도를 낮춤으로써 생산성을 향상시키며 제조비용도 현저하게 절감할 수 있는 고유전율 박막의 형성방법을 제공하는데 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 증착법을 통해 기판상에 고유전율 박막을 형성하는 방법으로, (a) 금속 전구체와 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여 박막을 형성하는 단계와, (b) 금속 전구체, 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질, 및 도펀트(dopant)를 포함하는 물질을 주입하여 도펀트(dopant)가 포함된 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계를 상기 (a)단계의 실시 전, 후 또는 중간에 실시하여, 형성된 박막에서 도펀트(dopant)가 포함된 박막의 위치 또는 두께 프로파일을 조절함으로써 소자의 특성을 변화시키는 고유전율 박막 형성 방법을 제공한다.

대표청구항

증착법을 통해 기판상에 고유전율 박막을 형성하는 방법으로, (A) 금속 전구체와 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여 박막을 형성하는 단계와,(B) 금속 전구체와, 도펀트(DOPANT)를 포함하며 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여, 도펀트(DOPANT)가 포함된 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (B) 단계를 상기 (A)단계의 실시 전, 후 또는 중간에 실시하여, 형성된 박막에서 도펀트(DOPANT)가 포함된 박막의 위치 또는 두께 프로파일 조절함으로써 소자의 특성을 변화시키는 고유전율 박막 형성 방법.

증착법을 통해 기판상에 고유전율 박막을 형성하는 방법으로, (A) 금속 전구체와 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여 박막을 형성하는 단계와,(B) 금속 전구체와, 도펀트(DOPANT)를 포함하며 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여, 도펀트(DOPANT)가 포함된 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (B) 단계를 상기 (A)단계의 실시 전, 후 또는 중간에 실시하여, 형성된 박막에서 도펀트(DOPANT)가 포함된 박막의 위치 또는 두께 프로파일 조절함으로써 소자의 특성을 변화시키는 고유전율 박막 형성 방법.