[특허]에치-백 법을 이용하여 함몰부를 형성하는 공정을 포함하는온-칩 렌즈 형성방법, 및 온-칩 렌즈 형성방법을 이용하여층내 마이크로 렌즈를 형성하는 공정을 포함하는 고체촬상장치의 제조방법

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[한국특허] 에치-백 법을 이용하여 함몰부를 형성하는 공정을 포함하는온-칩 렌즈 형성방법, 및 온-칩 렌즈 형성방법을 이용하여층내 마이크로 렌즈를 형성하는 공정을 포함하는 고체촬상장치의 제조방법
METHOD FOR FORMING ON-CHIP LENS INCLUDING PROCESS OF FORMING DEPRESSION BY USING ETCH-BACK METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING APPARATUS INCLUDING PROCESS OF FORMING IN-LAYER MICRO LENS USING THE METHOD FOR FORMING ON-CHIP LENS 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-027/146
출원번호	10-2007-0029249 (2007-03-26)
공개번호	10-2007-0096952 (2007-10-02)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020070029249
발명자 / 주소	즈카모토 아키라 / 일본국 오오사카후 가도마시 오오아자가도마 **** 마츠시타 덴끼산교 가부시키가이샤나이
출원인 / 주소	파나소닉 주식회사 / 일본 오오사카후 가도마시 오오아자 가도마 ****반치
대리인 / 주소	김영철 (KIM, Young Chul) 서울특별시 강남구 역삼동 **- 뉴서울빌딩 ***호(신화특허법률사무소)
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록

본 발명에 따른 렌즈 형성방법에서, 함몰부를 파는 굴삭 단계는, 제 2 물질로 구성되고 상기 함몰부의 역 형상인 패턴막을 상기 베이스막의 표면에 증착하는 증착 서브단계; 상기 패턴막의 표면을 평탄하게 하기 위하여 제 3 물질로 구성되고 그 안에 상기 패턴막을 매립하는 매립막을 형성하는 형성 서브단계; 및 상기 함몰부를 파기 위하여 상기 베이스막 쪽으로 상기 매립막의 표면을 에치-백하는 에치-백 서브단계를 포함하며, 상기 제 2 물질의 에치율은 상기 제 3 물질의 에치율보다 높다.

대표청구항 ▼

온-칩(ON-CHIP) 렌즈의 형성방법으로,반투명이고 제 1 물질로 구성된 베이스막을 기판의 표면 위에 증착하는 증착 단계; 및상기 베이스막의 일부에 함몰부를 파는 굴삭 단계를 포함하며,상기 굴삭 단계는,제 2 물질로 구성되고 상기 함몰부의 역 형상인 패턴막을 상기 베이스막의 표면에 증착하는 증착 서브단계;상기 패턴막의 표면을 평탄하게 하기 위하여 제 3 물질로 구성되고 그 안에 상기 패턴막을 매립하는 매립막을 형성하는 형성 서브단계; 및상기 함몰부를 파기 위하여 상기 베이스막 쪽으로 상기 매립막의 표면을 에치-백하는 에치-백 서브

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[특허] 반도체 소자의 평탄화막 에치백 공정 방법

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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