초록

본 발명은 저온의 반응 조건에서도 높은 생산성을 가지며 고품질의 산화비스무스를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 금속 비스무스를 용융하는 제1단계와; 상기 제1단계에서 용융된 금속 비스무스를 개방식 반응로 내에 투입하여 300 ~ 650℃에서 교반하는 제2단계와; 상기 제2단계에서 얻은 반응물을 밀폐로 내에 투입하고 300 ~ 600℃에서 순수 산소를 공급하면서 교반하여 산화비스무스를 얻는 제3단계로 이루어져, 종래와 비교하여 낮은 반응 온도 조건에서도 고품질의 산화비스무스를 얻을 수가 있는 효과가 있는 발명인 것이다.

대표청구항

금속 비스무스를 용융하는 제1단계와;상기 제1단계에서 용융된 금속 비스무스를 개방식 반응로 내에 투입하여 300 ~ 650℃에서 교반하는 제2단계와;상기 제2단계에서 얻은 반응물을 밀폐로 내에 투입하고 300 ~ 600℃에서 순수 산소를 공급하면서 교반하여 산화비스무스를 얻는 제3단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화비스무스의 제조방법.

금속 비스무스를 용융하는 제1단계와;상기 제1단계에서 용융된 금속 비스무스를 개방식 반응로 내에 투입하여 300 ~ 650℃에서 교반하는 제2단계와;상기 제2단계에서 얻은 반응물을 밀폐로 내에 투입하고 300 ~ 600℃에서 순수 산소를 공급하면서 교반하여 산화비스무스를 얻는 제3단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화비스무스의 제조방법.