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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2007-0052526 (2007-05-30) |
공개번호 | 10-2008-0105233 (2008-12-04) |
등록번호 | 10-1151218-0000 (2012-05-23) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020070052526 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-05-31) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 솔레노이드 밸브 구동 회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자동차의 솔레노이드 밸브를 작동하는 구동 회로에서 과도전압(LOAD DUMP)이 발생되었을 때 과도전압을 차단하는 MOSFET가 과도전압 해소 후 정상화되지 않는 것을 방지할 수 있는 솔레노이드 밸브 구동 회로에 관한 것이다.본 발명의 목적은, 30V 이상의 과전압인 로드덤프 상태 발생 시 상기한 과전압이 드레인 단자에 인가되어 온되면서 다이오드를 우회하여 과전압을 낮추도록 함으로써, 제1 MOSFET의 작동 불량을 개선할 수 있는 솔레노이드 밸브 구동 회로을
솔레노이드 밸브에 배터리의 전압을 공급하는 제1MOSFET와, 상기한 솔레노이드 밸브의 작동을 제어하는 제2MOSFET과, 상기한 제1, 2MOSFET을 제어하는 마이컴과, 상기한 배터리로의 역전압을 방지하기 위한 다이오드를 포함하는 솔레노이드 밸브 구동회로에 있어서,상기한 배터리에서 공급되는 전압이 소스 단자에 인가되고, 제1 MOSFET의 드레인 단자에 인가되는 전압과 동일 전압이 드레인 단자와 게이트 단자에 인가되어 로드 덤프 발생 시 온되면서 과다전압을 해소하는 제3 MOSFET;상기 솔레노이드 밸브 구동회로에 상기 배터리의
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