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비정질 카본막의 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의패턴 형성방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/027
출원번호 10-2007-0065407 (2007-06-29)
공개번호 10-2009-0001196 (2009-01-08)
등록번호 10-0881397-0000 (2009-01-23)
DOI http://doi.org/10.8080/1020070065407
발명자 / 주소
  • 안현주 / 경기 수원시 영통구 영통동 황골주공*단지 ***동 ***호
  • 이종민 / 경기 수원시 팔달구 영통동 동아아파트 *** 동 ****호
  • 김찬배 / 경기도 이천시 부발읍 아미*리 현대사원임대아파트 ***동 ***호
  • 정채오 / 경기 이천시 대월면 사동리 현대I-PART아파트 ***동***호
  • 이효석 / 경기 성남시 분당구 정자*동 한솔마을 청구아파트 ***동 ***호
  • 민성규 / 서울 성동구 행당동 ***-***
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 강성배 (Sung-Bae KANG)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 원빌딩 **층 ****호
심사청구여부 있음 (2007-06-29)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명에 따른 비정질 카본막의 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법은, 접착력을 향상시키기 위한 비정질 카본막 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상부에 제1비정질 카본막을 형성하는 단계와, 상기 제1비정질 카본막 상에 실리콘이 함유된 제2비정질 카본막을 형성하는 단계를 포함한다.

대표청구항

접착력을 향상시키기 위한 비정질 카본막 형성방법에 있어서,반도체 기판 상부에 제1비정질 카본막을 형성하는 단계; 및상기 제1비정질 카본막 상에 실리콘이 함유된 제2비정질 카본막을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 카본막 형성방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 디바이스 형성 방법 | 페어베른,케빈, 라이스,마이클, 웨이드만,티모시, 엔가이,크리스토퍼에스., 래치포드,이안스코트, 벤처,크리스토퍼데니스
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  2. [한국] 실리콘 카바이드 접착 프로모터 층을 이용하여 저유전상수플루오르화 비결정 탄소에 대한 실리콘 질화물의 접착을강화하는 방법 | 양홍닝, 엔구옌튜
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