선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC9판) |
|
출원번호 | 10-2007-0065407 (2007-06-29) |
공개번호 | 10-2009-0001196 (2009-01-08) |
등록번호 | 10-0881397-0000 (2009-01-23) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020070065407 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2007-06-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명에 따른 비정질 카본막의 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법은, 접착력을 향상시키기 위한 비정질 카본막 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상부에 제1비정질 카본막을 형성하는 단계와, 상기 제1비정질 카본막 상에 실리콘이 함유된 제2비정질 카본막을 형성하는 단계를 포함한다.
접착력을 향상시키기 위한 비정질 카본막 형성방법에 있어서,반도체 기판 상부에 제1비정질 카본막을 형성하는 단계; 및상기 제1비정질 카본막 상에 실리콘이 함유된 제2비정질 카본막을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 카본막 형성방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.