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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2007-0079172 (2007-08-07) |
공개번호 | 10-2009-0014870 (2009-02-11) |
등록번호 | 10-0994995-0000 (2010-11-11) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020070079172 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2007-09-06) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 등록 |
DyScO3 막을 포함하는 반도체 박막의 적층 구조 및 그 형성방법을 개시한다. 본 발명의 반도체 박막의 적층 구조는 기판 및 상기 기판 위의 DyScO3 막을 포함한다. 상기 DyScO3 막 위의 제1 버퍼층 및 상기 제1 버퍼층 위의 실리콘을 포함하는 제1 물질층을 더 포함할 수 있다. 또는 상기 기판의 상부에 실리콘을 포함하는 제2 물질층을 포함하고, 상기 실리콘을 포함하는 물질층과 상기 DyScO3 막 사이의 제2 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
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