초록 ▼

나노팁(nanotips)의 형성과 형상조절은 전계효과 디스플레이(field emission display, FED)의 전계방출 소자로 최근 큰 관심을 받고 있으며, 원자력 현미경(atomic force microscope, AFM)을 포함한 주사탐침현미경(Scanning Probe MicroScope, SPM)과 같은 측정분야의 핵심원천기술로 많은 연구가 진행되었다. 본 발명은 패턴화된 실리콘 나노팁의 제작방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 심도 반응성 이온 식각(deep reactive ion etching, DRIE

나노팁(nanotips)의 형성과 형상조절은 전계효과 디스플레이(field emission display, FED)의 전계방출 소자로 최근 큰 관심을 받고 있으며, 원자력 현미경(atomic force microscope, AFM)을 포함한 주사탐침현미경(Scanning Probe MicroScope, SPM)과 같은 측정분야의 핵심원천기술로 많은 연구가 진행되었다. 본 발명은 패턴화된 실리콘 나노팁의 제작방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 심도 반응성 이온 식각(deep reactive ion etching, DRIE) 공정을 2회 연속 실시하여 패턴화된 실리콘 나노팁 및 나노벽 제작 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법은 감광성막 도포단계와, 감광성막 성형단계와, 제1차심도반응성 이온 식각단계를 포함한다. 상기 감광성막 도포단계는 실리콘기판의 일면에 감광성막을 형성하기 위하여 감광성막을 도포하는 단계이다. 상기 감광성막 성형단계는 자외선을 상기 감광성막에 선택적으로 노광시켜서 상기 감광성막을 일정한 형상으로 성형하는 단계이다. 그리고 상기 제1차심도반응성 이온 식각단계는 증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁과 나노벽을 형성하는 단계이다.

대표청구항 ▼

실리콘기판의 일면에 감광성막을 형성하기 위하여 감광성막을 도포하는 단계와,자외선을 상기 감광성막에 선택적으로 노광시켜서 상기 감광성막을 일정한 형상으로 성형하는 단계와, 증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁과 나노벽을 형성하기 위한 제1차심도반응성 이온 식각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법.제1항에 있어서,잔여 감광성막을 제거하기 위한 감광성막 제거단계와,증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁과 나노벽을 형성하기 위한 제2차심도반응성 이온 식각단계를

실리콘기판의 일면에 감광성막을 형성하기 위하여 감광성막을 도포하는 단계와,자외선을 상기 감광성막에 선택적으로 노광시켜서 상기 감광성막을 일정한 형상으로 성형하는 단계와, 증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁과 나노벽을 형성하기 위한 제1차심도반응성 이온 식각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법.제1항에 있어서,잔여 감광성막을 제거하기 위한 감광성막 제거단계와,증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁과 나노벽을 형성하기 위한 제2차심도반응성 이온 식각단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법.제2항에 있어서,상기 나노팁과 나노벽을 산화실리콘 나노팁과 나노벽으로 형성하기 위하여 열산화시키기 위한 열산화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법.제2항에 있어서,상기 제2차심도반응성 이온 식각단계 이전에 상기 실리콘기판의 일면을 열산화시키기 위한 열산화단계와,상기 실리콘기판의 일면에 형성된 열산화막을 제거하기 위한 열산화막제거단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법.제1항에 있어서,상기 감광성막 도포단계 이전에 상기 실리콘의 일면에 유전체 박막층을 형성하기 위한 유전체 박막층 형성단계와,상기 감광성막 성형단계 이후에 반응성 이온으로 상기 유전체 박막을 상기 감광성막의 일정한 형상으로 성형하기 위한 건식식각단계와, 잔여 감광성막을 제거하기 위한 감광성막 제거단계와,제1차심도반응성 이온 식각단계 이후 잔여 유전체 박막층 제거단계와,증착가스와 식각가스를 사용하여 상기 실리콘기판의 일면에 나노팁과 나노벽을 형성하기 위한 제2차심도반응성 이온 식각단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 실리콘 나노팁 제작방법.