초록 ▼

본 발명은 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 미세 패턴의 상부가 노출되며, 편평한 기판 표면을 갖도록 a) 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계, 및 b) 상기 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 플라스틱 기판 내로 매립하는 단계를 포함하는 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법에 관한 것이다.상기 방법에 의해 금속 미세 패턴이 플라스틱 기판 표면에 그 어떤 요철을 형성하지 않음에 따라, 상기 금속 미세 패턴이

본 발명은 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 미세 패턴의 상부가 노출되며, 편평한 기판 표면을 갖도록 a) 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계, 및 b) 상기 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 플라스틱 기판 내로 매립하는 단계를 포함하는 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법에 관한 것이다.상기 방법에 의해 금속 미세 패턴이 플라스틱 기판 표면에 그 어떤 요철을 형성하지 않음에 따라, 상기 금속 미세 패턴이 유체와 접촉하는 경우 와류가 형성되지 않는다. 이러한 구조의 플라스틱 기판은 각종 전기전도도 검출기, 전류법 검출기, 바이오 센서, 온도 감지 센서, 마이크로 방열기, 반응장치 등 플라스틱 칩 위에서 구현할 수 있는 랩온어칩(lab-on-a-chip)과 플렉서블 디스플레이(flexible display) 등의 플라스틱 기판 상에 금속배선이 구현되는 모든 장치에 적용된다.

대표청구항 ▼

금속 미세 패턴의 상부가 노출되며, 편평한 기판 표면을 갖도록a) 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정과 리프트 오프 방식으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계, 및b) 상기 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 임프린팅 공정을 이용하여 플라스틱 기판 내로 매립시키는 단계를 포함하는 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법.제1항에 있어서,상기 플라스틱 기판은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에틸렌에테르 프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌

금속 미세 패턴의 상부가 노출되며, 편평한 기판 표면을 갖도록a) 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정과 리프트 오프 방식으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계, 및b) 상기 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 임프린팅 공정을 이용하여 플라스틱 기판 내로 매립시키는 단계를 포함하는 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법.제1항에 있어서,상기 플라스틱 기판은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에틸렌에테르 프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌 프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리부틸렌 프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(polydimethyl siloxane; PDMS), 폴리이미드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 포함하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법.제1항에 있어서,상기 가열은 플라스틱 기판 재질의 고분자의 Tg±10 ℃가 되도록 수행하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법.제1항에 있어서,상기 가압은 편평한 표면 또는 금속 미세 패턴과 동등한 패턴이 형성된 몰드를 이용하여 인가하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법.제1항에 있어서,상기 단계 b) 이전에 플라스틱 기판 상에 점착 방지층을 위치시키는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법.제5항에 있어서,상기 점착 방지층은 Teflon AF®, Cytop®, Aauaphobe CF®, KP-801 M®, 및 이들의 혼합물로 이루어진 불소(Fluorine) 계열 화합물, 카본(Carbon) 계열 화합물 또는 이들의 혼합물 중에서 선택된 1종을 포함하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법.제1항에 있어서,추가로 단계 b) 이후 화학적 기계적 연마 공정(CMP)에 의한 평탄화 공정을 수행하는 것인 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법.