초록

본 발명은 수용성 도전성 고분자와 분자량 200~10,000인 친수성 부위를 갖는 생계면활성제로 이루어지고 화학증착 레지스트에서 박막를 방지하는 특성이 뛰어난 대전방지제, 및 그 대전방지제를 이용하여 얻은 대전방지막과 이를 피복한 제품에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

수용성 도전성 고분자와 분자량이 200~10,000인 친수성 부위를 갖는 생계면활성제를 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항에 있어서, 용제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제2항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자를 0.1~20질량%의 양으로 함유하고, 상기 생계면활성제를 0.0001~1질량%의 양으로 함유하며, 상기 용제를 79~99.8질량%의 양으로 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항 또는 제2항에 있어서, 알킬기 또는 알케닐기, 또는 그 염으로 치환된 방향족 술폰산을 더 함유하는 것을 특징으

수용성 도전성 고분자와 분자량이 200~10,000인 친수성 부위를 갖는 생계면활성제를 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항에 있어서, 용제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제2항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자를 0.1~20질량%의 양으로 함유하고, 상기 생계면활성제를 0.0001~1질량%의 양으로 함유하며, 상기 용제를 79~99.8질량%의 양으로 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항 또는 제2항에 있어서, 알킬기 또는 알케닐기, 또는 그 염으로 치환된 방향족 술폰산을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제4항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자를 0.1~20질량%의 양으로 함유하고, 상기 생계면활성제를 0.0001~1질량%의 양으로 함유하며, 상기 알킬기 또는 알케닐기, 또는 그 염으로 치환된 방향족 술폰산을 0.0001~0.2질량%의 양으로 함유하고, 상기 용제를 78.8~99.8질량%의 양으로 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항에 있어서, 상기 생계면활성제가 폴리펩티드 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제6항에 있어서, 상기 생계면활성제가 환상 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항, 제3항, 제5항, 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 생계면활성제는 바실루스, 슈도모나스, 로도코커스, 세라치아, 아시네토박터, 페니실리움, 알칼리게네스, 오레오박테리움, 칸디다 및 미코박테리움으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 일종의 박테리아에 의하여 제조된 것임을 특징으로 하는 대전방지제.제1항, 제3항, 제5항~제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 생계면활성제는 서펙틴, 이투린, 플리파스타틴, 아르트로펙틴, 세라웨틴 및 직쇄 서펙틴으로 이루어진 군에서 선택한 적어도 일종인 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자는 브뢴스테드산기 또는 그 염을 갖는 π-공액 도전성 고분자인 것을 특징으로 하는 대전방지제.제10항에 있어서, 상기 브뢴스테드산기는 술폰산기인 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항, 제10항, 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자는 일반식(1)으로 표시되는 화학구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대전방지제. (식 중, m 및 n은 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타낸다. X는 S, N-R1 및 O 중의 어느 하나를 나타내고, A는 -B-SO3-M+으로 표시되는 치환기를 적어도 하나 갖고, 또한 다른 치환기를 가져도 좋은 탄소수 1~4개의 알킬렌 또는 알케닐렌기(2개 이상의 이중결합이 존재할 수 있음)를 나타내며, B는 -(CH2)p-(O)q-(CH2)r-를 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내며, q는 0 또는 1을 나타낸다. M+는 수소이온, 알칼리금속이온 또는 4급 암모늄이온을 나타낸다.)제1항, 제10항, 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자는 일반식(2)으로 표시되는 화학구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대전방지제. (식 중, R2~R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~20개의 직쇄상 또는 분기상의 포화 또는 불포화 탄화수소기, 탄소수 1~20개의 직쇄상 또는 분기상의 포화 또는 불포화 알콕시기, 수산기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 트리할로메틸기, 페닐기, 치환 페닐기 또는 -B-SO3-M+기를 나타낸다. B는 -(CH2)p-(O)q-(CH2)r-를 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내며, q는 0 또는 1을 나타낸다. M+는 수소이온, 알칼리금속이온 또는 4급 암모늄이온을 나타낸다.)제1항, 제10항, 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자는 일반식(3)으로 표시되는 화학구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대전방지제.(식 중, R5는 수소 원자, 탄소수 1~20개의 직쇄상 또는 분기상의 포화 또는 불포화 탄화수소기, 탄소수 1~20개의 직쇄상 또는 분기상의 포화 또는 불포화 알콕시기, 수산기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 트리할로메틸기, 페닐기, 치환 페닐기 또는 -B-SO3-M+기를 나타낸다. B는 -(CH2)p-(O)q-(CH2)r-를 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내며, q는 0 또는 1을 나타낸다. M+는 수소이온, 알칼리금속이온 또는 4급 암모늄이온을 나타낸다.)제1항, 제10항, 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자는 일반식(4)으로 표시되는 화학구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대전방지제.(식 중, R6 및 R7는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~20개의 직쇄상 또는 분기상의 포화 또는 불포화 탄화수소기, 탄소수 1~20개의 직쇄상 또는 분기상의 포화 또는 불포화 알콕시기, 수산기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 트리할로메틸기, 페닐기, 치환 페닐기 또는 SO3-M+기를 나타낸다. R8은 수소 원자, 탄소수 1~20개의 직쇄상 또는 분기상의 포화 또는 불포화 탄화수소기, 페닐기 및 치환 페닐기에서 선택된 1가의 기를 나타낸다. B는 -(CH2)p-(O)q-(CH2)r-를 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내며, q는 0 또는 1을 나타낸다. M+는 수소이온, 알칼리금속이온 또는 4급 암모늄이온을 나타낸다.)제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 수용성 도전성 고분자는 5-술포이소티아나프텐-1,3-디일을 함유하는 고분자인 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항에 있어서, 입자크기가 0.05~10㎛인 광산란입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 대전방지제.제17항에 있어서, 상기 입자크기가 0.05~10㎛인 광산란입자의 입자분포는 전체입자를 기준으로 50~99.9%인 것을 특징으로 하는 대전방지제.제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 대전방지제를 사용하여 얻는 대전방지막.제19항에 있어서, 막두께가 0.1~50㎚인 대전방지막.제19항 또는 제20항에 기재된 대전방지막으로 피복하여 얻은 피복된 제품.제21항에 있어서, 상기 피복되는 표면은 베이스 기판상에 도포된 감광성 조성물 또는 하전입자빔에 민감한 조성물인 것을 특징으로 하는 피복된 제품.제19항에 기재된 상기 대전방지막을 사용하는 패턴형성법.