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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0002691 (2008-01-09) |
공개번호 | 10-2009-0076636 (2009-07-13) |
등록번호 | 10-0937496-0000 (2010-01-11) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080002691 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-01-09) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법으로서, 혐기성 암모늄 산화균을 배양조에서 배양하는 단계(S1); 상기 배양된 혐기성 암모늄 산화균을 혐기성소화슬러지와 혼합하고, 400-500 rpm의 고속교반조건에서 양이온 또는 음이온 고분자를 투입하여 슬러지를 입상화시키는 단계(S2); 및 상기 혼합액에 100-200 rpm의 저속교반조건에서 실리카졸을 투입하여 입상화된 슬러지를 안정화시키는 단계(S3)를 포함하는, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 의한 혐기성 암모늄 산화균의 화학
혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법으로서,혐기성 암모늄 산화균을 배양조에서 배양하는 단계(S1); 상기 배양된 혐기성 암모늄 산화균을 혐기성소화슬러지와 혼합하고, 400-500 rpm의 고속교반조건에서 양이온 또는 음이온 고분자를 투입하여 슬러지를 입상화시키는 단계(S2); 및 상기 입상화된 슬러지에 100-200 rpm의 저속교반조건에서 실리카졸을 투입하여 입상화된 슬러지를 안정화시키는 단계(S3)를 포함하는, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법.
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