초록

표면에 비평탄면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터를 제공한다. 상기 서셉터의 비평탄면은 질화갈륨 성장용 베이스 기판의 질화갈륨 성장면의 반대쪽 표면의 곡률 반경과 같거나 작은 곡률 반경을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 질화갈륨의 성장 과정에서 상기 질화갈륨 베이스 기판의 후면에 질화갈륨 단결정과 다결정이 혼재하여 성장하는 것을 원천적으로 방지하여 고품질의 질화갈륨 벌크 단결정을 얻을 수 있다.

대표청구항 ▼

표면에 비평탄면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터.제1항에 있어서, 상기 서셉터의 비평탄면은 질화갈륨 성장용 베이스 기판의 질화갈륨 성장면의 반대쪽 표면의 곡률 반경과 같거나 작은 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터.제2항에 있어서, 상기 서셉터의 비평탄면은 질화갈륨 성장용 베이스 기판의 질화갈륨 성장면의 반대쪽 표면의 곡률 반경과의 차이가 20% 이내인 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터.제1항에 있어서, 상기 서셉터는 내열성을 가지며 질화갈륨 성장용 베이

표면에 비평탄면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터.제1항에 있어서, 상기 서셉터의 비평탄면은 질화갈륨 성장용 베이스 기판의 질화갈륨 성장면의 반대쪽 표면의 곡률 반경과 같거나 작은 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터.제2항에 있어서, 상기 서셉터의 비평탄면은 질화갈륨 성장용 베이스 기판의 질화갈륨 성장면의 반대쪽 표면의 곡률 반경과의 차이가 20% 이내인 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터.제1항에 있어서, 상기 서셉터는 내열성을 가지며 질화갈륨 성장용 베이스 기판 재료에 대하여 반응성이 없는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터.제4항에 있어서, 상기 서셉터는 실리콘 카바이드(SiC)가 코팅된 그라파이트(graphite) 또는 SiO2으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장용 서셉터.제1항에 있어서, 상기 서셉터는 표면에 질화갈륨 성장용 베이스 기판이 안착되며 비평탄면을 포함하는 포켓부를 구비하며, 상기 포켓부는 베이스 기판 직경 보다 큰 것을 특징으로 질화갈륨 성장용 서셉터.질화갈륨 성장용 베이스 기판이 안착된 서셉터를 질화갈륨 성장 반응로에 장입하는 단계와,상기 베이스 기판에 질화갈륨을 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 서셉터는 표면에 비평탄면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 방법.제7항에 있어서, 상기 베이스 기판은 GaN 또는 사파이어 재질인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 방법.제7항에 있어서, 성장된 질화갈륨을 냉각하고, 상기 질화갈륨을 서셉터로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 질화갈륨 성장 방법.제7항에 있어서, 상기 서셉터의 비평탄면은 질화갈륨 성장용 베이스 기판의 질화갈륨 성장면의 반대쪽 표면의 곡률 반경과 같거나 작은 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 방법.제10항에 있어서, 상기 서셉터의 비평탄면은 질화갈륨 성장용 베이스 기판의 질화갈륨 성장면의 반대쪽 표면의 곡률 반경과의 차이가 20% 이내인 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 성장 방법.