[특허]질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법

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[한국특허] 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
THE METHOD FOR REDUCING A LEAKAGE CURRENT OF THE NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)	H01L-021/336 H01L-021/20 H01L-021/324
출원번호	10-2008-0017069 (2008-02-26)
공개번호	10-2009-0091868 (2009-08-31)
등록번호	10-0969608-0000 (2010-07-05)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020080017069
발명자 / 주소	양전욱 / 전북 전주시 완산구 중화산동가 코오롱하늘채아파트 동 호 심규환 / 전북 전주시 덕진구 호성동가 주공아파트 *동 호 안효준 / 전북 군산시 조촌동 ** 홍성기 / 충남 서천군 서천읍 군사리 구 *-번지
출원인 / 주소	전북대학교산학협력단 / 전라북도 전주시 덕진구 덕진동 가 - 본부별관 *층
대리인 / 주소	유완식; 이은철
심사청구여부	있음 (2008-02-26)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	소멸

초록 ▼

본 발명은 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법에 관한 것으로서, GaN, AlGaN/GaN의 금속-반도체 정류성 접합에서 금속과 반도체 사이의 역방향 누설전류를 줄이거나 금속-절연막-반도체 구조에서 누설전류를 줄이거나, 고립된 GaN 또는 AlGaN/GaN의 활성층 사이에 흐르는 누설전류를 줄이는 방법을 제공함에 그 특징적인 목적이 있다.이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 및 드레인의 저항성 접촉을 형성하는 제 1 단계; 리소그래피 및 금속증착 방법을 이용하여 금속 게이트를 형성

대표청구항

기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 저항성금속 및 드레인 저항성금속을 형성하는 제 1 단계; 리소그래피 및 금속증착 방법을 이용하여 금속 게이트를 형성하는 제 2 단계; 및 진공 챔버에서 기판의 표면을 700°C 이내의 온도로 가열하여 N2O 플라즈마 처리하는 제 3 단계; 를 포함하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허를 인용한 특허 (2)

[한국] 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 한민구, 최영환, 임지용
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[한국] 갈륨함유 질화물 반도체 소자의 저항성 금속 접촉 및 이의 제조 방법 | 양전욱, 심규환, 임진홍
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[특허] 반도체 장치의 누설전류 방지회로 및 그 제어방법

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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