최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC9판) |
|
출원번호 | 10-2008-0035977 (2008-04-18) |
공개번호 | 10-2009-0110462 (2009-10-22) |
등록번호 | 10-0985470-0000 (2010-09-29) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080035977 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2008-04-18) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 고 전자 이동도 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터의 게이트 전극층을 서로 접촉되지 않는 단차 구조로 형성함으로써, 게이트 전극과 드레인 전극간에 발생하는 전계의 집중을 억제하여 전계의 피크치를 감소시키고, 국부적인 애벌런치 항복의 억제하여 드레인 전류의 증가를 감소시켜 선형적인 드레인 전류 특성을 나타내는 효과가 있다. 또한, 계단형 게이트 전극에 인가되는 입력 전압을 제어함으로써, 소자의 선형성, 고출력 및 고주파 특성을 향상시켜 저전력 소비, 저비용화의
삭제
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.