본 발명은 절연성을 극대화시키는 알루미늄 산화피막 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 알루미늄 표면의 절삭유, 기타 유분 및 얼룩 제거를 위해 표면을 세척하는 탈지단계와, 탈지단계를 거친 알루미늄 표면에 남아있는 이물질 및 유분을 황산 또는 질산에 의해 제거하는 중화단계와, 그 중화단계를 거친 알루미늄 표면에 산화알루미늄(A12O3)을 형성하는 산화 피막형성단계와, 착산니켈과다봉공 조건에서 피막형성과정에서 형성된 알루미늄 피막의 미세공뿐만 아니라 표면거칠기 상승부까지도 봉공이온의 적층을 유도하는 과다봉공단계와, 과다봉공과정을
본 발명은 절연성을 극대화시키는 알루미늄 산화피막 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 알루미늄 표면의 절삭유, 기타 유분 및 얼룩 제거를 위해 표면을 세척하는 탈지단계와, 탈지단계를 거친 알루미늄 표면에 남아있는 이물질 및 유분을 황산 또는 질산에 의해 제거하는 중화단계와, 그 중화단계를 거친 알루미늄 표면에 산화알루미늄(A12O3)을 형성하는 산화 피막형성단계와, 착산니켈과다봉공 조건에서 피막형성과정에서 형성된 알루미늄 피막의 미세공뿐만 아니라 표면거칠기 상승부까지도 봉공이온의 적층을 유도하는 과다봉공단계와, 과다봉공과정을 거친 알루미늄을 일정온도를 유지하는 물에 방치하여 체적 팽창을 유도하여 미세공이 막히도록 하는 열탕봉공단계와, 알루미늄 표면을 건조하는 건조단계를 거쳐 이루어지는 전기 절연성을 극대화시키는 알루미늄 산화피막 형성 방법에 관한 것이다.
대표청구항▼
알루미늄 표면의 절삭유, 기타 유분 및 얼룩 제거를 위해 표면을 세척하는 탈지단계(S10)와,탈지단계를 거친 알루미늄 표면에 남아있는 이물질 및 유분을 황산용액 또는 질산용액에 의해 제거하는 중화단계(S30)와,그 중화단계를 거친 알루미늄 표면에 산화알루미늄(A12O3)을 형성하는 산화 피막형성단계(S40)와,착산니켈 7G/L, pH 5.5, 봉공온도 35℃, 1분/㎛의 착산니켈과다봉공 조건 또는 착산니켈 5G/L, pH 5.5, 봉공온도 35℃, 2분/㎛의 착산니켈과다봉공 조건에서 피막형성과정에서 형성된 알루미늄 피막의 미세공뿐만
알루미늄 표면의 절삭유, 기타 유분 및 얼룩 제거를 위해 표면을 세척하는 탈지단계(S10)와,탈지단계를 거친 알루미늄 표면에 남아있는 이물질 및 유분을 황산용액 또는 질산용액에 의해 제거하는 중화단계(S30)와,그 중화단계를 거친 알루미늄 표면에 산화알루미늄(A12O3)을 형성하는 산화 피막형성단계(S40)와,착산니켈 7G/L, pH 5.5, 봉공온도 35℃, 1분/㎛의 착산니켈과다봉공 조건 또는 착산니켈 5G/L, pH 5.5, 봉공온도 35℃, 2분/㎛의 착산니켈과다봉공 조건에서 피막형성과정에서 형성된 알루미늄 피막의 미세공뿐만 아니라 표면거칠기 상승부까지도 봉공이온의 적층을 유도하는 과다봉공단계(S50)와,과다봉공과정을 거친 알루미늄을 50 ~ 70℃를 유지하는 물에 방치하여 체적 팽창을 유도하여 미세공이 막히도록 하는 열탕봉공단계(S60)와,알루미늄 표면을 건조시키는 건조단계(S70)로 이루어짐을 특징으로 하는 절연성을 극대화시키는 알루미늄 산화피막 형성 방법.제 1항에 있어서, 중화단계(S30)의 황산용액은 98% 황산(H2SO4) 30 ~ 50중량%와, 물(H2O) 50 ~ 70%의 혼합으로 조성된 것임을 특징으로 하는 절연성을 극대화시키는 알루미늄 산화피막 형성 방법.제 1항에 있어서, 중화단계(S30)의 질산용액은 68% 질산(HNO3) 30 ~ 50중량%와, 물(H2O) 50 ~ 70%의 혼합으로 조성된 것임을 특징으로 하는 절연성을 극대화시키는 알루미늄 산화피막 형성 방법.제 1항에 있어서, 탈지단계(S10) 후단에 산화피막이 형성된 알루미늄을, 물(H2O) 80 ~ 90중량%와 수산화나트륨 10 ~ 20중량%를 투입하여 50 ~ 70℃를 유지하는 에칭조에 넣어 알루미늄 표면을 부식시켜 표면의 거칠기를 증대시켜 다공성을 증대시키는 에칭단계(S20)가 포함되는 것을 특징으로 하는 절연성을 극대화시키는 알루미늄 산화피막 형성 방법.제 4항에 있어서, 에칭단계(S20)를 포함하는 산화피막 형성 방법의 과다봉공단계(S50)은 착산니켈 5G/L, pH 5.5, 봉공온도 35℃, 1분/㎛의 표준시간의 착산니켈봉공조건에서 에칭과정에서 형성된 알루미늄 피막의 미세공을 메우는 봉공단계(S50')로 대체가능한 것임을 특징으로 하는 절연성을 극대화시키는 알루미늄 산화피막 형성 방법.
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