초록 ▼

본 발명은 다이아몬드 단결정 성장 방법에 관한 것으로서, 다이아몬드의 기상성장 중 성장하는 단결정의 온도상승과 단결정들 간의 온도를 일정하게 유지시키기 위한 다음의 방법을 제공하여 다이아몬드 단결정을 대량으로 용이하게 성장시킬 수 있게 한다. 다이아몬드 씨드의 결정 형상에 상응하는 음각 패턴을 갖는 피트가 하나 이상 형성되어 있으며 열전도도가 1 W/cmK 이상인 몰드 기판을 제공하는 단계 및 다이아몬드 씨드를 상기 몰드 기판의 피트 내에 위치시킨 후 상기 피트 내에서 기상화학증착법에 의해 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계를 포

본 발명은 다이아몬드 단결정 성장 방법에 관한 것으로서, 다이아몬드의 기상성장 중 성장하는 단결정의 온도상승과 단결정들 간의 온도를 일정하게 유지시키기 위한 다음의 방법을 제공하여 다이아몬드 단결정을 대량으로 용이하게 성장시킬 수 있게 한다. 다이아몬드 씨드의 결정 형상에 상응하는 음각 패턴을 갖는 피트가 하나 이상 형성되어 있으며 열전도도가 1 W/cmK 이상인 몰드 기판을 제공하는 단계 및 다이아몬드 씨드를 상기 몰드 기판의 피트 내에 위치시킨 후 상기 피트 내에서 기상화학증착법에 의해 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계를 포함하는 다이아몬드 단결정 성장 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

다이아몬드 씨드의 결정 형상에 상응하는 음각 패턴을 갖는 피트가 하나 이상 형성되어 있으며 열전도도가 1 W/cmK 이상인 몰드 기판을 제공하는 단계 및 다이아몬드 씨드를 상기 몰드 기판의 피트 내에 위치시킨 후 상기 피트 내에서 기상화학증착법에 의해 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계를 포함하는 다이아몬드 단결정 성장 방법. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드 기판의 온도를 제어하기 위한 금속 냉각부를 몰드 기판 하부에 제공하는 단계를 추가로 포함하는 다이아몬드 단결정 성장 방법. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드는 고융점 금속, 세

다이아몬드 씨드의 결정 형상에 상응하는 음각 패턴을 갖는 피트가 하나 이상 형성되어 있으며 열전도도가 1 W/cmK 이상인 몰드 기판을 제공하는 단계 및 다이아몬드 씨드를 상기 몰드 기판의 피트 내에 위치시킨 후 상기 피트 내에서 기상화학증착법에 의해 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계를 포함하는 다이아몬드 단결정 성장 방법. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드 기판의 온도를 제어하기 위한 금속 냉각부를 몰드 기판 하부에 제공하는 단계를 추가로 포함하는 다이아몬드 단결정 성장 방법. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드는 고융점 금속, 세라믹 재료, 고열전도성 재료 및 단결정 재료로 구성된 그룹에서 선택되는 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법. 제 1 항에 있어서,기상화학증착법에 사용되는 반응기체가 수소 및 메탄 혼합기체인 것을 특징으로 하는 방법. 제 4 항에 있어서, 메탄의 함량은 0.5 에서 10% (v/v) 범위를 특징으로 하는 방법. 제 4 항에 있어서, 반응기체가 메탄대비 50% (v/v)의 산소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드에 형성된 피트의 음각 패턴은 역피라미드 또는 정육면체 형상인 것을 특징으로 하는 방법. 제 1 항에 있어서, 다이아몬드 씨드가 정팔면체 형상을 갖고, 몰드 기판에 형성된 피트의 음각 패턴은 역파라미드 형상으로서 (100) 면으로 성장이 가능하게 하는 역피라미드 형상인 것을 특징으로 하는 방법. 제 1 항에 있어서, 상기 몰드 기판에 형성된 피트는 방전가공, 기계적 압흔 공정, 또는 화학적 이방성 부식 공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 방법. 제 1 항에 있어서, 기상화학증착법은 마이크로웨이브, 직류전원 또는 열필라멘트에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.