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투과전자현미경용 시편 제작 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • G01N-001/28
출원번호 10-2008-0092073 (2008-09-19)
공개번호 10-2010-0033085 (2010-03-29)
DOI http://doi.org/10.8080/1020080092073
발명자 / 주소
  • 심우영 / 경기도 광명시 철산동 도덕파크타운 아파트 ***-****
출원인 / 주소
  • 주식회사 실트론 / 경북 구미시 임수동 ***번지
대리인 / 주소
  • 송경근; 박보경
심사청구여부 있음 (2008-09-19)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

웨이퍼에서 FIB(Focused Ion Beam)를 이용하여 특정 부위의 불량분석을 정확하게 할 수 있는 투과전자현미경(TEM)용 시편 제작 방법을 제공한다.본 발명에서는 TEM 분석용 샘플 제작하려는 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하고 그 위에 폴리실리콘막을 형성하여 이온빔에 의한 손상을 최소화하여 측정하고자 하는 미소 결함을 보호한다.

대표청구항

웨이퍼에서 TEM 분석하고자 하는 결함을 포함하는 분석 위치 주위에 마킹하는 단계; 상기 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 위에 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 및FIB(Focused Ion Beam)를 이용하여 상기 분석 위치를 밀링하여 시편으로 제작하는 단계를 포함하는 투과전자현미경용 시편 제작 방법.

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