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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0119469 (2008-11-28) |
공개번호 | 10-2010-0060740 (2010-06-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080119469 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명의 실시예에 따른 반도체 가스센서는, 기판에 형성된 센서전극과; 상기 센서전극 위에 형성되는 감지막과; 상기 감지막이 형성된 상기 기판 면의 반대 면에 형성된 히터부와; 상기 히터부와 동일 면에 형성되어 온도를 측정하는 온도센서를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 히터의 구동효율을 향상시키고 설계공간을 절약할 수 있는 반도체 가스센서를 제공할 수 있다.
기판에 형성된 센서전극과;상기 센서전극 위에 형성되는 감지막과;상기 감지막이 형성된 상기 기판 면의 반대 면에 형성된 히터부와;상기 히터부와 동일 면에 형성되어 온도를 측정하는 온도센서를 포함하는 반도체 가스센서.
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