초록 ▼

탄소함유막을 이용하여 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 패턴 형성 방법에서는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판상에 피식각막을 형성하고, 제1 영역 위에서 피식각막 위에 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 형성한다. 복수의 제1 탄소함유막 패턴의 상면 및 양 측벽을 덮는 버퍼층을 형성한다. 버퍼층 위에 제2 탄소함유막을 형성한다. 제2 영역에서 제2 탄소함유막을 제거한다. 제1 영역 및 제2 영역에서 버퍼층 중 일부를 제거하여 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 노출시킨다. 복수의

탄소함유막을 이용하여 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 패턴 형성 방법에서는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판상에 피식각막을 형성하고, 제1 영역 위에서 피식각막 위에 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 형성한다. 복수의 제1 탄소함유막 패턴의 상면 및 양 측벽을 덮는 버퍼층을 형성한다. 버퍼층 위에 제2 탄소함유막을 형성한다. 제2 영역에서 제2 탄소함유막을 제거한다. 제1 영역 및 제2 영역에서 버퍼층 중 일부를 제거하여 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 노출시킨다. 복수의 제1 탄소함유막 패턴과 제1 영역에 남아 있는 제2 탄소함유막을 식각 마스크로 이용하여 피식각막을 식각한다.

대표청구항 ▼

제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판상에 피식각막을 형성하는 단계와, 상기 제1 영역 위에서 상기 피식각막 위에 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 복수의 제1 탄소함유막 패턴 중 상호 인접한 2 개의 제1 탄소함유막 패턴 사이에 각각 위치되는 복수의 리세스(recess)가 형성된 상면을 가지고 상기 복수의 제1 탄소함유막 패턴의 상면 및 양 측벽을 덮는 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 복수의 리세스를 채우도록 상기 제1 영역 및 제2 영역에서 상기 버퍼층 위에 제2 탄소함유막을 형성하는 단계와, 상기 제2 영

제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판상에 피식각막을 형성하는 단계와, 상기 제1 영역 위에서 상기 피식각막 위에 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 복수의 제1 탄소함유막 패턴 중 상호 인접한 2 개의 제1 탄소함유막 패턴 사이에 각각 위치되는 복수의 리세스(recess)가 형성된 상면을 가지고 상기 복수의 제1 탄소함유막 패턴의 상면 및 양 측벽을 덮는 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 복수의 리세스를 채우도록 상기 제1 영역 및 제2 영역에서 상기 버퍼층 위에 제2 탄소함유막을 형성하는 단계와, 상기 제2 영역에서 상기 제2 탄소함유막을 제거하여 상기 제2 영역에서 상기 버퍼층을 노출시키는 단계와, 상기 제1 영역 및 제2 영역에서 상기 버퍼층 중 일부를 제거하여 상기 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 노출시키는 단계와, 상기 복수의 제1 탄소함유막 패턴과 상기 제2 탄소함유막중 상기 복수의 리세스 내에 채워진 부분들을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각막을 식각하여 복수의 피식각막 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 제1 탄소함유막 패턴을 형성하는 단계와 상기 제2 탄소함유막을 형성하는 단계는 각각 방향족 환을 포함하는 탄화수소 화합물 또는 그 유도체로 이루어지는 유기 화합물을 상기 기판상에 스핀 코팅하는 단계와, 상기 스핀 코팅된 유기 화합물을 베이크(bake)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.