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연합인증

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도핑된 치밀한 ＳｉＯ₂ 표피를 갖는 이산화티탄 안료 입자 및 이의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • C09C-001/36
출원번호 10-2008-7018440 (2008-07-25)
공개번호 10-2008-0090472 (2008-10-08)
등록번호 10-1340904-0000 (2013-12-06)
우선권정보 독일(DE) 10 2006 004 345.6 (2006-01-30);독일(DE) 10 2006 054 988.0 (2006-11-22)
국제출원번호 PCT/EP2007/000762 (2007-01-30)
국제공개번호 WO 2007/085493 (2007-08-02)
번역문제출일자 2008-07-25
DOI http://doi.org/10.8080/1020087018440
발명자 / 주소
  • 레브스-니콜라이 리디아 / 독일 ***** 쾰른 호프리히테르슈트라쎄 *
  • 블루에멜 지그프리트 / 독일 ***** 라팅엔-에게르샤이트 안 데어 덱케르슈바이데 **
출원인 / 주소
  • 크로노스 인터내셔널, 인코포레이티드 / 독일 레버쿠젠 (우편번호 *****) 페쉬슈트라쎄 *
대리인 / 주소
  • 장훈
심사청구여부 있음 (2012-01-26)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 가스상으로부터 침착되고 하나 이상의 도핑 원소로 도핑된 치밀한 SiO2 표피로 표면이 피복된 이산화티탄 안료 입자에 관한 것이다.상기 SiO2 표피는, 하나 이상의 도핑 원소로 도핑됨으로 인해, 원자가 밴드(valence band) 및/또는 상기 밴드 가장자리 근방의 전도 밴드(conduction band)에서 에너지 밀도 상태가 감소하거나 추가의 에너지 상태가 상기 밴드 갭에 생성됨을 특징으로 한다.상기 도핑된 치밀한 SiO2 표피는 이산화티탄 입자의 표면에 공지된 습식 화학방법을 사용하여 도포되거나 가스 상으로 도포된

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