에모토 히데유키
/ 일본국 도쿄도 마치다시 아사히마치 *-*-* 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 중앙 연구소 내
이부키야마 마사히로
/ 일본국 도쿄도 마치다시 아사히마치 *-*-* 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 중앙 연구소 내
가와사키 다카시
/ 일본국 도쿄도 마치다시 아사히마치 *-*-* 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 중앙 연구소 내
출원인 / 주소
덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 / 일본 도쿄도 쥬오쿠 니혼바시무로마치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
특허법인태평양
(Bae, Kim & Lee IP Group)
서울 강남구 역삼동***-** 한국타이어빌딩
심사청구여부
있음 (2008-12-09)
심사진행상태
원결정유지(심사전치)
법적상태
거절
초록▼
청색 LED 또는 자외 LED를 광원으로 하는 발광 효율이 뛰어난 백색 LED를 제공할 수 있는 형광체로서, 이 형광체는 일반식: (M1)X(M2)Y(Si, Al)12(O, N)16(단, M1은 Li, Mg, Ca, Y 및 란타니드 원소(La와 Ce를 제외)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, M2는 Ce, Pr, Eu, Tb, Yb 및 Er로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, 0.3≤X+Y≤1.5, 또한 0<Y≤0.7)으로 나타내는 α형 사이알론을 주성분으로 하고, 비표면적이 0.2~0.5
청색 LED 또는 자외 LED를 광원으로 하는 발광 효율이 뛰어난 백색 LED를 제공할 수 있는 형광체로서, 이 형광체는 일반식: (M1)X(M2)Y(Si, Al)12(O, N)16(단, M1은 Li, Mg, Ca, Y 및 란타니드 원소(La와 Ce를 제외)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, M2는 Ce, Pr, Eu, Tb, Yb 및 Er로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, 0.3≤X+Y≤1.5, 또한 0<Y≤0.7)으로 나타내는 α형 사이알론을 주성분으로 하고, 비표면적이 0.2~0.5m2/g인 분말로 이루어진다.
대표청구항▼
일반식: (M1)X(M2)Y(Si, Al)12(O, N)16(단, M1은 Li, Mg, Ca, Y 및 란타니드 원소(La와 Ce를 제외)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, M2는 Ce, Pr, Eu, Tb, Yb 및 Er로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, 0.3≤X+Y≤1.5 , 또한 0<Y≤0.7)으로 나타내는 α형 사이알론을 주성분으로 하고, 비표면적이 0.2~0.5m2/g인 분말인 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 1에 있어서,상기 α형 사이알론의 격자 정수 a가 0.780
일반식: (M1)X(M2)Y(Si, Al)12(O, N)16(단, M1은 Li, Mg, Ca, Y 및 란타니드 원소(La와 Ce를 제외)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, M2는 Ce, Pr, Eu, Tb, Yb 및 Er로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, 0.3≤X+Y≤1.5 , 또한 0<Y≤0.7)으로 나타내는 α형 사이알론을 주성분으로 하고, 비표면적이 0.2~0.5m2/g인 분말인 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 1에 있어서,상기 α형 사이알론의 격자 정수 a가 0.780~0.788 nm, 격자 정수 c가 0.565~0.573 nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 α형 사이알론으로 이루어진 분말을 X선 회절법으로 평가했을 때, α형 사이알론 이외의 결정상의 회절 강도가 α형 사이알론의 (102)면의 회절선 강도에 대해서 모두 10% 이하인 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 1에 있어서,상기 M1이 적어도 Ca를 함유하는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 1에 있어서,상기 M2가 적어도 Eu를 함유하고, 0<Y≤0.1이며, 250~500nm의 파장을 가지는 자외선 또는 가시광선을 여기원으로서 조사함으로써 540~600nm의 범위의 파장 영역에 피크를 가지는 발광 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체. 일반식: (M1)X(M2)Y(Si, Al)12(O, N)16(단, M1은 Li, Mg, Ca, Y 및 란타니드 원소(La와 Ce를 제외)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, M2는 Ce, Pr, Eu, Tb, Yb 및 Er로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, 0.3≤X+Y≤1.5, 또한 0<Y≤0.7)로 나타내는 α형 사이알론으로 이루어진 형광체의 제조 방법으로서,출발 원료에 α형 사이알론을 5~30 중량% 함유시키는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체의 제조 방법.청구항 6에 있어서,상기 출발 원료에 함유시키는 α형 사이알론의 비표면적을 0.5~2 m2/g로 하는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체의 제조 방법.청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,출발 원료를 밀도 1.75 g/cm³ 이상의 질화 붕소 재질의 도가니에 충전하고, 질화성 분위기로 소성하는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체의 제조 방법.청구항 8에 있어서,상기 도가니가 열분해성 질화 붕소로 이루어진 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체의 제조 방법.청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항 기재의 사이알론 형광체와 소정 파장의 광을 발하는 발광 광원으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 조명기구.청구항 10에 있어서,상기 광의 파장이 250~500 nm인 것을 특징으로 하는 조명기구.청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 한 항 기재의 사이알론 형광체의 제조 방법으로 얻어지는 형광체와 소정 파장의 광을 발하는 발광 광원으로 이루어진 것을 특징으로 하는 조명기구.청구항 12에 있어서,상기 광의 파장이 250~500 nm인 것을 특징으로 하는 조명기구.형광체의 구성 입자의 평균 원형도가 0.75 이상이며, 상기 형광체의 입도 분포인 D50이 5~30㎛이고, D10이 2.0㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.형광체의 입자에 포함되는 발광에 관여하는 원소의 농도가 상기 입자 내부에서 낮고, 상기 입자 외주부에서 높은 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 15에 있어서,상기 입자 외주부의 발광에 관여하는 원소의 농도가 상기 입자 내부의 발광에 관여하는 원소의 농도의 1.2배 이상인 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 14 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,상기 형광체는 일반식: (M1)X(M2)Y(Si)12-(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16-n(단, M1은 Li, Mg, Ca, Sr, Y 및 란타니드 금속(La와 Ce를 제외)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, M2는 Ce, Pr, Eu, Tb, Yb, Er로부터 선택되는 1종 이상의 원소이고, 0.3≤X+Y≤1.5 , 0<Y≤0.7, 0.6≤m≤3.0, 0≤n≤2.5, X+Y=m/(M1과 M2의 평균 가수))로 나타내는 α형 사이알론 형광체인 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 17에 있어서,상기 M1이 Ca이며, 또한, 상기 M2가 Eu인 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 14 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,상기 형광체는 일반식: Si6-ZAlZOZN8-Z(단, 0.01≤z≤4.2)로 나타내는 β형 사이알론을 모체 재료로 하고, 금속 원소 M3(단, M3는 Mn, Ce, Eu로부터 선택되는 1종 이상의 원소)를 0.01~10 atm% 함유하는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.청구항 19에 있어서,상기 일반식에서 0.1≤z≤0.5이며, M3가 Eu이며, 그 함유량이 0.03~0.3 atm%인 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체.실리콘 함유물과 알루미늄 함유물과 M1(Li, Mg, Ca, Sr, Y 및 란타니드 금속(La와 Ce를 제외)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소) 및 M2(Ce, Pr, Eu, Tb, Yb, Er로부터 선택되는 1종 이상의 원소)를 포함한 원료를 혼합하여 과립을 작성하고, 상기 과립을 질소 가스 분위기 중에서 1500~2100℃의 온도에서 가열하여 α형 사이알론 형광체를 얻는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체의 제조 방법.청구항 21에 있어서,상기 원료에, 미리 합성한 α형 사이알론 형광체를 첨가하여 혼합하는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체의 제조 방법.실리콘 함유물과 알루미늄 함유물과 M3(Mn, Ce, Eu로부터 선택되는 1종 이상의 원소)를 포함한 원료를 혼합하여 과립을 작성하고, 상기 과립을, 질소 가스 분위기 중에서 1500~2100℃의 온도로 가열하여 β형 사이알론 형광체를 얻는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체의 제조 방법.청구항 23에 있어서,상기 원료에, 미리 합성한 β형 사이알론 형광체를 첨가하여 혼합하는 것을 특징으로 하는 사이알론 형광체의 제조 방법.청구항 14 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 기재된 사이알론 형광체와 발광 파장의 최대 강도가 240~480 nm에 있는 발광 다이오드를 구성요소로서 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 발광소자.
연구과제 타임라인
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이 특허에 인용된 특허 (2)
[일본]
SIALON PHOSPHOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
SAKUMA TAKESHI,
HIROSAKI NAOTO
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