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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-0005891 (2009-01-23) |
공개번호 | 10-2010-0086592 (2010-08-02) |
등록번호 | 10-1084764-0000 (2011-11-11) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090005891 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2009-01-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
산화아연 입자 제조방법 및 산화아연 로드 제조방법을 제공한다.산화아연 입자 제조방법은 아연염, 침전제 및 과성장 억제제를 함유하는 배양용액을 준비하는 단계 및 상기 배양용액에 반응열을 가하여 산화아연 입자를 제조한다.또한, 상기 산화아연 로드 제조방법은 기판 상에 산화아연 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층 상에 다수개의 홀을 구비하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 아연염, 침전제 및 과성장억제제를 함유하는 배양용액을 제조하는 단계 및 상기 배양용액 내에 상기 포토레지스트 패턴을 구비하는 기판을 침지하여 상기 홀 내에 산화아
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