초록 ▼

본 발명은 피가공 기판 상에 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물을 도포하고, 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 막에 제1 포지티브형 패턴을 얻는 공정, 또한 상기 포지티브형 패턴에, 반전막 형성용 조성물에 사용되는 유기 용제에 대한 내성을 부여하는 공정, 제2 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료로 반전막을 형성하고, 상기 막에 제2 포지티브형 패턴을 얻는 공정을 포함하고, 또한 제2 포지티브형 레지스트 패턴을 얻는 알칼리 현상액 공정에 있어서, 상기 알칼리성 현상액에 가용으로 반전된 제1 포지티브형 패턴이 제2 패턴을 얻는 공정

본 발명은 피가공 기판 상에 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물을 도포하고, 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 막에 제1 포지티브형 패턴을 얻는 공정, 또한 상기 포지티브형 패턴에, 반전막 형성용 조성물에 사용되는 유기 용제에 대한 내성을 부여하는 공정, 제2 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료로 반전막을 형성하고, 상기 막에 제2 포지티브형 패턴을 얻는 공정을 포함하고, 또한 제2 포지티브형 레지스트 패턴을 얻는 알칼리 현상액 공정에 있어서, 상기 알칼리성 현상액에 가용으로 반전된 제1 포지티브형 패턴이 제2 패턴을 얻는 공정 중에 용해 제거, 반전 전사되는 공정을 포함하는 더블 패턴 형성 방법을 제공한다.본 발명에 따르면, 히드록시기 함유 용제나 고극성 용제를 이용하여 반전용 막의 제2 레지스트막을 성막하더라도, 제1 포지티브형 레지스트 패턴에 손상을 주지 않고, 간극에 제2 레지스트 재료를 매립할 수 있고, 제1 포지티브형 패턴을 현상액으로 알칼리 가용 제거할 수 있으며, 간이한 공정으로 고정밀도의 포지티브 네가티브 반전을 행할 수 있다.

대표청구항 ▼

피가공 기판 상에, 산에 의해 이탈되는 산 불안정기에 의해 보호된 알칼리 가용성기를 갖는 구조를 갖는 반복 단위를 갖는 수지, 광산 발생제 및 유기 용제를 함유하는 제1 화학 증폭 포지티브형 레지스트막 형성용 조성물을 도포하고, 예비 베이킹에 의해 불필요한 용제를 제거하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막에 고에너지선을 패턴 조사하고, 노광 후 가열에 의해 노광에 의해 발생한 산을 산 불안정기에 작용시켜, 노광부의 수지의 산 불안정기에 이탈 반응을 행하게 하여 알칼리 가용으로 만든 후, 알칼리성 현상액으로 현상하여 제1

피가공 기판 상에, 산에 의해 이탈되는 산 불안정기에 의해 보호된 알칼리 가용성기를 갖는 구조를 갖는 반복 단위를 갖는 수지, 광산 발생제 및 유기 용제를 함유하는 제1 화학 증폭 포지티브형 레지스트막 형성용 조성물을 도포하고, 예비 베이킹에 의해 불필요한 용제를 제거하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막에 고에너지선을 패턴 조사하고, 노광 후 가열에 의해 노광에 의해 발생한 산을 산 불안정기에 작용시켜, 노광부의 수지의 산 불안정기에 이탈 반응을 행하게 하여 알칼리 가용으로 만든 후, 알칼리성 현상액으로 현상하여 제1 포지티브형 패턴을 얻는 공정, 또한 상기 포지티브형 패턴을 얻는 공정에서 얻어진 제1 레지스트 패턴 중의 상기 수지의 산 불안정기를 이탈시킴과 동시에, 상기 수지에 알칼리성 현상액에 대한 용해성을 잃지 않는 범위에서 가교를 형성시켜, 제1 레지스트 패턴에, 반전막 형성용 조성물에 사용되는 유기 용제에 대한 내성을 부여하는 공정, 그 후 반전막 형성용 조성물로서 산에 의해 이탈되는 산 불안정기에 의해 보호된 알칼리 가용성기를 갖는 구조를 갖는 반복 단위를 갖는 수지를 함유하는 제2 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료를 이용하여 반전막을 형성하고, 제2 화학 증폭형 레지스트 재료의 용제를 예비 베이킹에 의해 상기 반전막으로부터 제거하고, 상기 반전막에 고에너지선을 패턴 조사하고, 노광 후 가열에 의해 노광에 의해 발생한 산을 산 불안정기에 작용시켜, 노광부의 수지의 산 불안정기에 이탈 반응을 행하게 한 후, 알칼리성 현상액으로 현상하여 제2 포지티브형 패턴을 얻는 공정을 포함하고, 또한 제2 포지티브형 레지스트 패턴을 얻는 알칼리 현상액 공정에 있어서, 상기 알칼리성 현상액에 가용으로 반전된 제1 포지티브형 패턴이 제2 포지티브형 패턴을 얻는 공정 중에 용해 제거, 반전 전사되는 공정을 포함하며, 상기 제1 화학 증폭 포지티브형 레지스트막 형성용 조성물에서의 수지가 7-옥사노르보르난환을 갖는 반복 단위를 갖는 것을 특징으로 하는 더블 패턴 형성 방법.