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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-0016781 (2009-02-27) |
공개번호 | 10-2009-0028751 (2009-03-19) |
등록번호 | 10-0928661-0000 (2009-11-18) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090016781 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2009-02-27) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 전체 조성물 100중량%중 디메틸비닐을 함침한 디메틸,메틸비닐 실록산(Dimethyl, methylvinyl siloxane) 60~90중량%와 비결정 실리카(SiO₂: Amorphous silica) 8~30중량% 및 실라놀(Silanol)을 함침한 폴리디메틸실록산 (PolyDimethylsiloxanes) 1~10 중량% 및 붕산(boric acid) 1~5중량%를 혼련하고, 이를 T-다이 압출기로 테이프상으로 압출하여 실리콘 절연테이프를 얻은 후, 연속 가열로에서 100~500℃의 온도로 20~60sec 동안 가열
자기융척 절연데이프를 제조함에 있어서,자기융착 및 난연성 실리콘 절연테이프(1)의 제조하기 위한 전체 조성물 100중량%에 대하여 디메틸비닐을 함침한 디메틸,메틸비닐 실록산(Dimethyl, methylvinyl siloxane) 60~90중량%와 비결정 실리카(SiO₂: Amorphous silica) 8~30중량% 및 실라놀(Silanol)을 함침한 폴리디메틸실록산 (Poly Dimethyl- siloxanes) 1~10 중량% 및 붕산(boric acid) 1~5중량%를 혼합 믹싱하여 조성하는 원료혼합단계(S1)와; 자기융착
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