초록 ▼

본 발명은 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 화학적 안정성이 향상된 불소고분자막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 염화비닐벤질 단량체를 용매에 용해시켜 염화비닐벤질 단량체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 단량체 용액에 불소계 고분자막을 첨가하고, 방사선 동시조사법을 이용하여 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 술폰화 반응시켜 폴리비닐벤질술폰산이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(

본 발명은 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 화학적 안정성이 향상된 불소고분자막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 염화비닐벤질 단량체를 용매에 용해시켜 염화비닐벤질 단량체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 단량체 용액에 불소계 고분자막을 첨가하고, 방사선 동시조사법을 이용하여 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 술폰화 반응시켜 폴리비닐벤질술폰산이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막은 염화비닐벤질을 포함한 혼합용액과 불소계 고분자 막에 방사선을 동시에 조사하여 제조방법이 간단하고, 불소고분자막의 그라프트율을 조절할 수 있으며, 상기 제조방법으로 제조된 불소 고분자막은 라디칼에 의한 화학적 반응에서 우수한 안정성을 나타내므로, 이온 교환 막, 전지용 분리막, 수소 이온 연료전지막 등의 여러 기능성 막으로 유용하게 사용할 수 있다.

대표청구항 ▼

염화비닐벤질 단량체를 용매에 용해시켜 염화비닐벤질 단량체 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 단량체 용액에 불소계 고분자막을 첨가하고, 방사선 동시조사법을 이용하여 1 - 4 kGy/h의 선량율로 조사하여 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 티오우레아 용액에 첨가하여 반응시켜 티오우로늄 염을 도입시키는 단계(단계 3(a)); 상기 단계 3(a)에서 제조된 티오우로늄 염이 도입된 불소고분자막을 염기성용액에 첨가하여 가수분해시키는

염화비닐벤질 단량체를 용매에 용해시켜 염화비닐벤질 단량체 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 단량체 용액에 불소계 고분자막을 첨가하고, 방사선 동시조사법을 이용하여 1 - 4 kGy/h의 선량율로 조사하여 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 티오우레아 용액에 첨가하여 반응시켜 티오우로늄 염을 도입시키는 단계(단계 3(a)); 상기 단계 3(a)에서 제조된 티오우로늄 염이 도입된 불소고분자막을 염기성용액에 첨가하여 가수분해시키는 단계(단계 3(b)); 및 상기 단계 3(b)의 가수분해에 의해 티올기를 포함하는 불소고분자막을 산화시키는 단계(단계 3(c))를 포함하는 술폰화 반응을 통해 폴리비닐벤질술폰산이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법.