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ＡＬＤ에 의한 ＤｙＳｃＯ3 막 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/20
  • H01L-021/205
출원번호 10-2009-0033195 (2009-04-16)
공개번호 10-2009-0043486 (2009-05-06)
DOI http://doi.org/10.8080/1020090033195
발명자 / 주소
  • 최훈상 / 서울특별시 서초구 서초동 **** 현대아파트 **-***
  • 이승환 / 경기 수원시 권선구 권선동 벽산한성아파트 ***-***
  • 구봉진 / 경기도 수원시 팔달구 우만*동 월드메르디앙 ***-****
  • 김선정 / 경기도 용인시 기흥구 중동 어은목마을대원칸타빌아파트 ****-****
  • 정천형 / 경기도 용인시 기흥구 보정동 현대아이파크*차아파트 ***-***
  • 임상욱 / 경기도 용인시 기흥구 보정동 죽현마을 I-Park ***-****
  • 김영선 / 경기도 수원시 영통구 영통*동 살구골*단지 서광아파트 ***-***
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 리앤목특허법인 (Y.P.LEE, MOCK&PARTNERS)
  • 서울 서초구 서초동****-*번지 고려빌딩(리앤목 특허법인)
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

ALD에 의한 DyScO3 막 형성 방법을 개시한다. 본 발명의 ALD에 의한 DyScO3 막 형성 방법은 소스 물질들을 챔버 일단에 위치한 기화기까지 액상으로 운반하는 단계; 액상으로 운반된 상기 소스 물질들을 상기 기화기에서 기화시키는 단계; 상기 기화된 소스 물질들을 챔버 안으로 공급하여 ALD 방법에 의하여 DyScO3 막을 형성하는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

Dy 소스 물질과 Sc 소스 물질을 챔버 일단에 위치한 기화기까지 액체 운반라인을 통하여 액상으로 운반하는 단계;액상으로 운반된 상기 소스 물질들을 상기 기화기에서 기화시키는 단계; 및상기 기화된 소스 물질들을 순차적으로 챔버 안으로 공급하여 ALD에 의하여 기판 위에 DyScO3 막을 형성하는 방법.제1 항에 있어서, 상기 Dy 소스 물질은 Dy(EDMDD)3을 포함하는 DyScO3 막을 형성하는 방법. 제1 항에 있어서, 상기 Sc 소스 물질은 Sc(EDMDD)3을 포함하는 DyScO3 막을 형성하는 방법. 제1 항에 있어서,

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