본 발명은 고방열 금속판을 이용한 PCB 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 습식세정하는 제 1 단계; 상기 습식세정을 거친 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 플라즈마 챔버 내에 장착한 뒤, 진공으로 배기시키는 제 2 단계; 상기 진공 배기가 종료되면 상기 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여
본 발명은 고방열 금속판을 이용한 PCB 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 습식세정하는 제 1 단계; 상기 습식세정을 거친 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 플라즈마 챔버 내에 장착한 뒤, 진공으로 배기시키는 제 2 단계; 상기 진공 배기가 종료되면 상기 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물에 플라즈마 세정 가스를 원하는 압력까지 주입하며, 플라즈마를 발생시켜 상기 발생된 플라즈마를 이용해 상기 장착된 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물 표면을 세정하는 제 3 단계; 상기 표면세정이 종료되면, 진공챔버에 장착된 Sputter Target에 직류전원을 인가하여 원하는 금속기지층을 증착하는 제 4 단계; 상기 금속기지층과 동일한 금속 또는 다른 금속 중에서 열 전도도가 큰 금속을 Sputter 시킴과 동시에 카본을 함유한 반응가스를 주입하면서, 상기 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물에 RF 전원을 인가하여 Hybrid Plasma Process를 거쳐 상기 금속기지층이 증착된 표면에 열전도가 큰 금속들이 분산된 다이아몬드상 비정질 탄소박막인 Metal 함유 DLC 박막을 형성하는 제 5 단계; 상기 Metal 함유 DLC 박막 위로 다이아몬드상 탄소박막(DLC:Diamond-like Carbon)을 소정의 두께로 증착하는 제 6 단계; 및 상기 DLC 박막증착이 종료되었으면, 상기 진공챔버 내의 압력을 대기압으로 복귀시킨 후, 다층 박막이 증착된 상기 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 취출한 뒤, 상기 취출된 알루미늄(Al), 구리, 철 등의 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 이용하여 PCB를 제조하는 제 7 단계; 를 포함한다. 이에 의해, 고휘도 LED에서 발생되는 고열을 효과적으로 제거함으로써 LED의 수명 연장 및 성능을 유지하기 고방열 금속판을 제공할 수 있다.
대표청구항▼
알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 습식세정하는 제 1 단계;상기 습식세정을 거친 알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 플라즈마 챔버 내에 장착한 뒤, 진공으로 배기시키는 제 2 단계; 상기 진공 배기가 종료되면 알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조
알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 습식세정하는 제 1 단계;상기 습식세정을 거친 알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 플라즈마 챔버 내에 장착한 뒤, 진공으로 배기시키는 제 2 단계; 상기 진공 배기가 종료되면 알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물에 플라즈마 세정 가스를 원하는 압력까지 주입하며, 플라즈마를 발생시켜 상기 발생된 플라즈마를 이용해 상기 장착된 알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물 표면을 세정하는 제 3 단계;상기 표면세정이 종료되면, 진공챔버에 장착된 스퍼터 타켓(Sputter Target)에 직류전원을 인가하여 Ti, Si, W, Mo 중 적어도 하나 이상을 포함하여 형성된 금속기지층을 증착하는 제 4 단계; 상기 금속기지층과 동일한 금속 또는 다른 금속 중에서 열 전도도가 큰 금속을 스퍼터(Sputter) 시킴과 동시에 카본을 함유한 반응가스를 주입하면서, 알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물에 RF 전원을 인가하여 하이브리드 플라즈마 공정(Hybrid Plasma Process)을 거쳐 상기 금속기지층이 증착된 표면에 열전도가 큰 금속들이 분산된 다이아몬드상 비정질 탄소박막인 Metal 함유 DLC 박막을 형성하는 제 5 단계; 상기 Metal 함유 DLC 박막 위로 다이아몬드상 탄소박막(DLC:Diamond-like Carbon)을 소정의 두께로 증착하는 제 6 단계; 및 상기 DLC 박막증착이 종료되었으면, 상기 진공챔버 내의 압력을 대기압으로 복귀시킨 후, 다층 박막이 증착된 알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 취출한 뒤, 상기 취출된 알루미늄(Al), 구리, 철 중 어느 하나로 구성된 원판 또는 상기 원판을 일정 크기로 쇄절하여 형성된 금형 또는 다이케스팅 구조물을 이용하여 PCB를 제조하는 제 7 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 금속판을 이용한 PCB 제조방법.
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