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하프톤 마스크 및 이의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/027
출원번호 10-2009-0045848 (2009-05-26)
공개번호 10-2010-0127413 (2010-12-06)
등록번호 10-1168406-0000 (2012-07-18)
DOI http://doi.org/10.8080/1020090045848
발명자 / 주소
  • 김무성 / 경기도 안산시 단원구 초지*로 **, 서해아파트 ****동 ***호 (초지동)
출원인 / 주소
  • 엘지이노텍 주식회사 / 서울특별시 중구 한강대로 *** (남대문로*가, 서울스퀘어)
대리인 / 주소
  • 박용순; 김인한; 김희곤
심사청구여부 있음 (2009-05-26)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 다중 반투과부를 가지는 반투과 물질의 수 및 공정 수를 줄여서 시간 및 비용을 감소시킬 수 있는 하프톤 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 하프톤 마스크는 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 투과 영역과, 상기 기판 상에 적어도 두 개의 반투과 물질을 교번적으로 다수층으로 적층되어 형성되며, 상기 반투과 물질의 적층된 수에 따라 서로 다른 투과율을 가지는 다중 반투과부를 가지는 반투과 영역과, 상기 교번적으로 적층된 다수의 반투과 물질 상에 형성된 차단층을

대표청구항

기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 투과 영역과;상기 기판 상에 식각비가 상이한 2 개의 반투과 물질이 각각 층을 이루어 형성되는 2개의 층이 교번적으로 다수 적층되며, 상기 반투과 물질의 적층된 수에 따라 서로 다른 투과율을 가지는 다중 반투과부를 가지는 반투과 영역과;상기 교번적으로 적층된 다수의 반투과 물질 상에 형성된 차단층을 가지는 차단 영역;을 포함하는 하프톤 마스크.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 멀티레벨 레티클 시스템 및 멀티레벨 포토레지스트 프로파일 형 성 방법 | 데이비드 러셀 에반스, 투에 누옌, 브루스 데일 울리치
  2. [한국] 포토 마스크 및 그 제조 방법과 이를 이용한 패턴 형성 방법 | 김경일

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 3-톤 이상의 마스크 제조 방법 | 허익범, 최상수, 김명용
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