초록 ▼

본 발명은 다양한 기판 상에 금속성 은 등을 비전해 침착(electroless deposition)시키는 것에 대한 것으로, 특히 금속성 은으로 환원될 수 있는 이온성 은을 포함하는 은용액과, 상기 은용액용 환원제를 포함하는 환원용액을 기판 위의 일정한 영역에 함께 분무함으로서 30Å이하의 금속성 은입자를 생성시키고, 이렇게 생성된 나노 크기의 금속성 은이 침착된 은막층을 형성하는 것이다.이와 같이 은막층은 3nm 이하의 은 입자가 은막을 형성하여 표면 거칠기인 막 치밀도가 우수한 반사판을 제조할 수 있고, 상기 반사판은 현저히 높

본 발명은 다양한 기판 상에 금속성 은 등을 비전해 침착(electroless deposition)시키는 것에 대한 것으로, 특히 금속성 은으로 환원될 수 있는 이온성 은을 포함하는 은용액과, 상기 은용액용 환원제를 포함하는 환원용액을 기판 위의 일정한 영역에 함께 분무함으로서 30Å이하의 금속성 은입자를 생성시키고, 이렇게 생성된 나노 크기의 금속성 은이 침착된 은막층을 형성하는 것이다.이와 같이 은막층은 3nm 이하의 은 입자가 은막을 형성하여 표면 거칠기인 막 치밀도가 우수한 반사판을 제조할 수 있고, 상기 반사판은 현저히 높은 반사율을 가질 수 있다.

대표청구항 ▼

금속성 은으로 환원될 수 있는 이온성 은을 포함하는 은용액과, 상기 은용액을 환원시키는 은용액용 환원제를 포함하는 환원용액을 각각 준비하는 단계; 및, 상기 준비된 은용액과 환원용액을 기판에서 떨어진 일정한 공간에 함께 분무하여, 상기 기판에서 떨어진 일정한 공간에서 은거울 반응이 이루어지도록 하는 단계;를 포함하여, 2Å 내지 30Å 범위 내의 직경을 가진 금속성 은이 침착된 은막층을 형성하고, 상기 은막층은 3nm 이하의 막치밀도를 가지는 것을 특징으로 하는 금속성 은의 비전해 침착(electroless deposition)방법

금속성 은으로 환원될 수 있는 이온성 은을 포함하는 은용액과, 상기 은용액을 환원시키는 은용액용 환원제를 포함하는 환원용액을 각각 준비하는 단계; 및, 상기 준비된 은용액과 환원용액을 기판에서 떨어진 일정한 공간에 함께 분무하여, 상기 기판에서 떨어진 일정한 공간에서 은거울 반응이 이루어지도록 하는 단계;를 포함하여, 2Å 내지 30Å 범위 내의 직경을 가진 금속성 은이 침착된 은막층을 형성하고, 상기 은막층은 3nm 이하의 막치밀도를 가지는 것을 특징으로 하는 금속성 은의 비전해 침착(electroless deposition)방법.