초록 ▼

본 발명은 항균 화장료 조성물에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 본 발명은분자량이 150,000 Da 이하인 저분자 알지네이트, 분자량이 35,000 Da 이하인 저분자 후코이단 및 입자의 크기가 0.1~3.4㎛인 저분자 은-알지네이트로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 조성물 전체 중량에 대하여 각각 0.01~1.0%(w/v)로 포함하는 항균 화장료 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 항균 화장료 조성물은 과산화수소와 전자빔 조사를 이용한 저분자화 기술로 제조된 저분자의 알지네이트, 후코이단 또는 은-알지네이트를 포함하고

본 발명은 항균 화장료 조성물에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 본 발명은분자량이 150,000 Da 이하인 저분자 알지네이트, 분자량이 35,000 Da 이하인 저분자 후코이단 및 입자의 크기가 0.1~3.4㎛인 저분자 은-알지네이트로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 조성물 전체 중량에 대하여 각각 0.01~1.0%(w/v)로 포함하는 항균 화장료 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 항균 화장료 조성물은 과산화수소와 전자빔 조사를 이용한 저분자화 기술로 제조된 저분자의 알지네이트, 후코이단 또는 은-알지네이트를 포함하고 있으므로 피부 및 모공 깊숙한 곳에 서식하는 피부 유해 균주들에 대한 항균 활성이 우수하고, 라디칼을 제거하는 항산화 활성도 우수할 뿐만 아니라 세포에 대한 독성도 없어 피부에 대한 안정성이 우수하기 때문에 여드름 및 아토피와 같은 피부 트러블을 개선하기 위한 기능성 화장품의 제조에 유용하게 사용할 수 있는 효과가 있다.

대표청구항

분자량이 150,000 Da 이하인 저분자 알지네이트, 분자량이 35,000 Da 이하인 저분자 후코이단 및 입자 크기가 0.1~3.4㎛인 저분자 은-알지네이트를 전체 중량에 대하여 각각 0.04~1중량%, 0.5~1중량% 및 0.035~0.04중량% 포함하고;상기 저분자 알지네이트 및 저분자 은-알지네이트는 알지네이트에 과산화수소를 첨가한 후 전자빔을 조사하여 제조된 것이며;상기 저분자 후코이단은 후코이단에 과산화수소를 첨가한 후 전자빔을 조사하여 제조된 것을 특징으로 하는 항균 화장료 조성물.

분자량이 150,000 Da 이하인 저분자 알지네이트, 분자량이 35,000 Da 이하인 저분자 후코이단 및 입자 크기가 0.1~3.4㎛인 저분자 은-알지네이트를 전체 중량에 대하여 각각 0.04~1중량%, 0.5~1중량% 및 0.035~0.04중량% 포함하고;상기 저분자 알지네이트 및 저분자 은-알지네이트는 알지네이트에 과산화수소를 첨가한 후 전자빔을 조사하여 제조된 것이며;상기 저분자 후코이단은 후코이단에 과산화수소를 첨가한 후 전자빔을 조사하여 제조된 것을 특징으로 하는 항균 화장료 조성물.